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电子管,晶体管,三极管,场效应管,MOS以及CMOS的区别和联系
1、电子管，晶体管，三极管，场效应管，MOS以及CMOS都属于受控放大的电子器件。工作原理各不相同：电子管，由发热灯丝发射电子，靠高压吸引电子、栅极控制发射电子的能力，属电压控制电流型器件。
2、电子管和晶体管的区别如下：定义不同 电子管：电子管，是一种最早期的电信号放大器件。被封闭在玻璃容器（一般为玻璃管）中的阴极电子发射部分、控制栅极、加速栅极、阳极（屏极）引线被焊在管基上。
3、区别一：场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。而三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。区别二：场效应管和三极管的是电压和电流控制，但这都是相对的。
4、指代不同 三极管：全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。场效应管：是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。
5、mos是“场效应管”的英文简写； 比如：Live MOS Live MOS感光器件具有全祯(FFT) CCD的优质的画面素质，同时又有CMOS低功耗的优点。
6、区别 节能性：MOS管是电压控制性器件，二极管三极管是电流控制性器件，因此MOS管更节能。稳定性：MOS管只有多数载流子参与导电，二极管三极管中多数载流子和少数载流子都参与导电，因此MOS管热稳定性更好。
MOS管是什么管?
mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，它们都是在P型backgate中形成的N型区。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。
MOS 是 金属-氧化物-半导体（Metal-Oxide-Semiconductor）的缩写。这是一种常见的半导体器件结构，通常用于制造各种电子元件，特别是MOS场效应晶体管（MOSFET）。
MOS管：场效应管。采用绝缘栅结构的晶体三极管，输入阻抗高，输出呈电阻态。
MOS管全称是MOSFET，意思是金属绝缘栅型场效应管，因为它的栅极与沟道之间有一层绝缘层而得名，且栅极通常采用铝金属作为材料而得名。它是场效应管的一种（另外一种是结型场效应管）。
什么叫mos场效应管
mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，它们都是在P型backgate中形成的N型区。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor， MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。
MOS管是一种场效应晶体管，它是由金属、氧化物和半导体材料组成的。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。
即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。
MOS管全称是MOSFET，意思是金属绝缘栅型场效应管，因为它的栅极与沟道之间有一层绝缘层而得名，且栅极通常采用铝金属作为材料而得名。它是场效应管的一种（另外一种是结型场效应管）。
