mim电容（mim电容版图连接）

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Q值不同：MOM 电容比MIM电容的Q值大。形成不同：（1）、MOM是使用用来连线的metal自然形成的，可以多层stack插指形成。（2）、MIM一般用两层位于TOP metal和Mn-1之间的薄铝或者用一层薄铝和Mn-1形成电容。

当然有集成电容，IC集成内部的电容一般分为 MOS电容，PIP电容，MIM电容，MOM电容。但是内部集成电容比较小，一般不会超过nf级。NE555肯定有集成电容，只是大小而已。

MIM电容结构是“金属-电介质-金属”，容量大些，MOS电容采用CMOS集成工艺。我觉得差别只是制造的工艺不同。

这里我默认是MOSFET（晶体管）的情况。MIM结构实际就相当于一个电容。而晶体管的工作，主要是靠电压来调控半导体材料的导电性来实现的。而对于金属，由于其费米能级处于导带内，外加电压很难起到调制载流子的作用。

上极板接VSS。MIM电容类似于平板电容，电容值较精确，电容值不会随偏压变化而变化，一般制程上用mTOP l & mTOP -1 来做，电容值可以用上级板面积*单位容值来进行估算，上下极板接法不可互换，一般用于analog，RF工艺。

MIM结构实际就相当于一个电容。而晶体管的工作，主要是靠电压来调控半导体材料的导电性来实现的。而对于金属，由于其费米能级处于导带内，外加电压很难起到调制载流子的作用。因此MOSFET的开关特性只有在MIS结构下才成为可能。

作用不同：MOS氧化物半导体场效应晶体管，可应用于放大电路，MIS指的是管理信息系统提供准确的战略决策决策是管理者最重要也是最具挑战性的工作。

MIS器件由金属(M)-绝缘体(I)-半导体(S)组成的体系称为MIS结构，以这种结构形成的器件称为MIS器件（MIS二极管）。如果其中的绝缘体是SiO2，则相应地为MOS结构和MOS二极管。

MIS的结构 MIS由信源、信宿、信息处理、信息用户和信息管理者五个组成部分。MIS的特性完善的MIS具有以下四个标准：确定的信息需求、信息的可采集与可加工、可以通过程序为管理人员提供信息、可以对信息进行管理。

自下而上”MIS开发策略：优点：可以避免大规模系统可能出现运行不协调的危险。缺点：不能像想象那样完全周密，由于缺乏从整个系统出发考虑问题，随着系统的进展，往往要做许多重大修改，甚至从新规划、设计。

1、原因是安装时未使用专用工具。0.5 报警阀发生误报，原因是由于报警阀方向安反，辅助件误装。

2、打开后，解压之前，你看在可边有一堆文字，一般都有提示，如果没有就输入那堆文字里的网址。

3、mim相当于48安不能换算。min是minute的缩写，意思为分钟或者是最小值。ah是电池的容量单位，比如12ah(12安时)，所以138min（分钟）不能与ah(安时)化等号。单位换算，指同一性质的不同单位之间的数值换算。

MOS电容和MIM电容都是属于集成电路工艺制作的小电容，MIM电容结构是“金属-电介质-金属”，容量大些，MOS电容采用CMOS集成工艺。我觉得差别只是制造的工艺不同。

这是因为三星电容器的结构中的PN结或MIM结构会导致电荷注入或电子隧穿效应的发生，从而引起电容器的电流-电压特性的非线性变化。这种非线性特性可能会导致电容器的容量减小或电容器的损坏。

此外，通过提高MIM电容器的容量，第11代核心处理器可以处理更高的负载任务，并提供快速稳定的电源响应。底层处理技术的实质性改进使Intel第11代核心处理器在高负载任务下降低了核心温度，并提高了功耗转换为性能的效率。

1、重要的信号线都用CAP下极板，上极板接VSS。

2、打开Cadence仿真工具，进入电路设计环境。在设计环境中找到电容器的实例，并选中该实例。在属性编辑器或属性窗口中找到电容器的属性设置。在属性设置中找到初始电压（Initial Voltage）选项，并将其设置为零（0V）。

3、电阻、电容都有标号的，标号写了多少就是它们的大小；如果大小不合电路图的话，可以通过双击电阻或者电容软器件，修改它们的value（值）属性，来改变它们的大小。

4、这个直接双击元件进入属性里面填写即可。需要多大。就填写多大。如果你问的是怎么确定这个电阻，电容，在这个电路上应该用多大的。这就是要懂原理的。如果不懂原理，不管你用什么软件画图都是一样。

1、隔离直流电流作用。不管被测点有多高直流电压，都不会有直流电流产生。起到直流保护作用。

2、采用mos管并联电容两端给电容放电的方法不可取，原如是MOS的导通电阻非常小，一般只有几十毫欧至零点几欧姆，这种方法相当于短路放电，极容易烧毁MOS管，尤其是对大容量电容放电，太伤MOS了。

3、多个mos管并联使用极间电容导通电阻具有正温度系数，具有并联均流的影响。mOS管适合并联使用，还可以降低损耗。但同时，一个或者几个管子坏了，会出现其他管子电流过大的状况。

4、目前主板或显卡上所采用的MOS管并不是太多，一般有10个左右，主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了。由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。

5、由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。可以方便地用作恒流源。可以用作电子开关。

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