mos管寄生（mos管寄生二极管的作用）

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1、还不错。龙腾mos管具有输入阻抗高、开关速度快、驱动功率小、安全工作区宽、温度稳定性好等特点，已广泛应用于开关电源、汽车电子、工业控制等行业领域。

2、mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

3、MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。

4、电脑主板的MOS管是场效应晶体管器件，两个或三个一组，或多相组合，用来与主板上电压控制分配 IC配合，进行DC-DC直流电压变换，为CPU或内存，以及各板载IC芯片，或接口插槽，提供所需工作的稳定供电。

不是所有的MOS管都有寄生二极管，只有V-MOS管才有寄生二极管。数字表的电阻档不能测量二极管，必须用二极管档测量，才能在一个方向测到电阻（电压），反方向不通。

在常用的MOS管的Datasheet中原理图上，常见D和S极之间有一个二极管，该二极管称为寄生二极管。该二极管的产生与生产工艺有关，并不是所有的MOS内部都有该二极管。

寄生二极管肯定是存在的，只要你的器件中有PN结。单极性器件易损坏MOS管属于单极性器件，在导通过程中施加反向电压，很容易损坏。擎住效应具有破坏性对于晶闸管和GTO，擎住效应是正常的，而对MOS或者IGBT，这个效应是具有破坏性的。

这个二极管不是所有的MOS管都有，有没有与生产工艺有关。一般大功率管工艺为VMOS、TMOS等，就有这个二极管。它不是特意做出来的，是生产时自然形成的。小功率管以及集成电路中的MOS管一般没有这个二极管。

mos管本身自带有寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏mos管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏。

这个二极管是跟生产工艺有关的，并不是每个都有，像一些小功率的MOS和集成电路中有些就没有这个二极管，这个二极管产生的原因主要是因为我们在生产MOS的时候会将源级S接到衬底P上。

mos管寄生（mos管寄生二极管的作用）

1、CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。CMOS中的C表示“互补”，即将NMOS器件和PMOS器件同时制作在同一硅衬底上，制作CMOS集成电路。优势：CMOS集成电路具有功耗低、速度快、抗干扰能力强、集成度高等众多优点。

2、CMOS 门电路的输入阻抗很高，如果输入端悬空，它会像天线一样接收周围的噪声信号。这会使得CMOS门的输入信号处于不确定状态，可能导致门电路的输出结果不可预知。

3、闩闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。由于CMOS器件中的PN结反向偏置时，由于电子和空穴的扩散，会形成一个PNPN结构，从而导致器件失效。

1、这个问题不太好解决，换一个内阻比较小的开关管应该会好一些。但如果成本压力比较大，可以在开关管驱动电路上电阻上加一个反向的开关二极管。应该也会好一点。

2、那种阻尼振荡只能减小，无法消除的。软开关技术也只能减很小，振荡还是有的。

3、还有一个问题，开关频率越高，尖刺也就会越高，如果没有硬性要求，可以把开关频率降一降。另外，负载处除了主要的电解电容，可以加一些钽电容试试。

这个二极管是MOSFET内部的等效电路。从这个结构上可以看出来源极和漏极之间存在一个PN结，而二极管本身就是有一个PN结形成的，所以这个结构就等效于在源极和漏极之间并联了一个二极管。

三角形箭头方向的一端为负极。插件二极管丝印小圆- -端是负极，大圆是正极。插件发光二二极管方孔为第-脚为正极。

会的，当VDS高到一定程度以后，会使寄生在DS之间的body diode击穿，从而导通，导通后极有可能烧坏。VDS瞬间过高，也会导致G极上产生电压，从而出现擎住效应，致使器件导通、烧坏。

导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。

从正极流向负极。就是从二极管PN结的P区流向N区，在电路图中，二极管“三角形”所指示的方向就是它的正向电流方向。发光二极管的电流方向与电路的电流方向是一致的。并不矛盾。不过，没必要纠结真实电流的方向。