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比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()
高开关速度：IGBT具有快速的开关速度，能够在短时间内切换导通和截止状态。 可控性：通过适当的门极电压和电流，IGBT的导通状态可以被精确地控制。
MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
中常用一种较大的电功率单位叫 ，1 ＝1000瓦特。用电器标有“220V40W”的字样，“220V”表示 叫做。“40W”表示 叫做。这个用电器正常工作时通过它的电流强度是安培，用电器的电阻 是 欧姆。
igbt栅极电阻会影响开关速度么?
1、栅极电阻大小对开关过程影响的物理原因是栅极电阻小，给门极电容充电速度就快，电流变化就快。栅极电阻的存在势必会影响开关速度，即电容的充放电速度。为了减少谐波，可以通过增加栅极电阻来缩短开关时间。但是这将增加开关损耗。
2、当IGBT栅极引线的电感值较大时，会导致栅极驱动信号的上升时间变慢，因为电感会阻碍电流的变化，从而降低栅极的响应速度。
3、IGBT的栅极电阻是连接到IGBT内部G极的电阻，其中又有外部和内部之分，外部栅极电阻是驱动板上外接的电阻，内部栅极电阻每个IGBT内部集成固有的，具体值可以查看技术手册。IBGT的栅极电阻影响IGBT开关快慢及开关损耗。
4、调节功率开关器件的通断速度栅极电阻小，开关器件通断快，开关损耗小；反之则慢，同时开关损耗大。
IGBT与MOSFET的开关速度比较?
1、- IGBT：IGBT的开关速度较慢，相对于MOSFET，它的开关速度较低。因此，它更适用于中频应用。 电压范围：- MOSFET：MOSFET适用于低电压应用，通常在几伏到数十伏之间。
2、igbt 结构上是电压控制的三极管。开关速度比mosfet慢些，特别是off time.但是，它容易做到高电压，大电流。所以，像动车组，电动汽车等都用它（反相击穿电压几千伏）。由于它导通后会像三极管一样有ce电压。
3、从产品上来说，IGBT一般用在高压功率产品上，从600V到几千伏都有，MOSFET应用电路则从十几伏到一千左右。工作原理的区别 对于MOSFET来说，仅由多子承担的电荷运输没有任何存储效应，所以很容易实现极端的开关时间。
4、由于GTR的特点是功率容量（电流耐力和电压耐力）大，开关速度慢。而MOSFET的特点是，功率容量小，开关速度快。而IGBT的特点是介于二者之间的。就是说IGBT的特点是功率容量较大，开关速度较快，能力比较综合。
5、MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz），应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。