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mos的g极串联一个电容可以导通吗
1、串联...首先，G级和S级有结电容Cgs，假设mos管完全导通为12V，4V初步导通，那么G级电压会产生一个4V的米勒平台。G级电压会对Cgs充电，使G级电压维持在4V。
2、当G加上电压后就会给这个电容充电，当G上的电压撤掉后若G悬空电容的电荷是不能马上放掉的，实际上G极的电压仍然存在一段时间，所以不会马上截止。
3、我只要再28VOUT端加上大电容后，不管G极电压变化MOS管一直处于导通状态。如果28VOUT端不加大电容后，MOS管随G极电压变化能起到开关作用。请问这大电容到底影响了什么东西。
4、要考虑二极管的单向导通性，主要是其保护作用，G，S间的寄生电容较小，通常在几pf到10几pf左右。考虑到U=Q/C，故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，所以通常会在G-S之间加上TVS，防止G-S击穿。
5、多个mos管并联使用极间电容导通电阻具有正温度系数，具有并联均流的影响。mOS管适合并联使用，还可以降低损耗。但同时，一个或者几个管子坏了，会出现其他管子电流过大的状况。
6、软启动功能，可以减少浪涌。高压小电容有软启动功能，可以降低电动机的起动电流，减少配电容量，避免增容投资。软启动器是一种集电机软起动、软停车、轻载节能和多种保护功能于一体的电机控制装置。
关于MOS管中栅极电流的问题
1、在MOS管的工作过程中，如果栅极电流过大，会导致栅极和栅极氧化膜受到损坏，从而影响MOS管的性能和寿命。
2、栅极控制源极和漏极间的电流，MOS导通后源和漏之间形成沟道，电流可以在沟道中流动，n管是漏流向源，p管相反。而MOS栅极一端是多晶硅，绝缘的，没电流，只是控制沟道电流的大小，就像水龙头一样。
3、MOSFETS饱和时候的漏极电流公式：I=(1/2)UnCox（W/L）*（Vgs-Vth）式中：Un：为电子的迁移速率。Cox：为单位面积栅氧化层电容。W/L：氧化层宽长比。Vgs-Vth：为过驱动电压。
什么是寄生电容
1、寄生电容（parasitic capacitance），也称为杂散电容，是电路中电子元件之间或电路模块之间，由于相互靠近所形成的电容，寄生电容是寄生元件，多半是不可避免的，同时经常是设计时不希望得到的电容特性。
2、寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串连，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。
3、意思不同，用处不同。意思不同。寄生电容是指用于动态读写存贮器的电子元件；耦合电容是指分布电容产生的耦合方式。用处不同。寄生电容用于线圈与机壳之间；耦合电容用于工频高压及超高压交流输电线路中。
4、一般是指在印制板或其他形态的电路形式，在线与线之间、印制板的上下层之间形成的电容。这种电容的容量很小，但可能对电路形成一定的影响。
5、寄生电容 在学术文献中的解释另一方面传感器除有极板间电容外，极板与周围体（各种元件甚至人体）也产生电容联系，这种电容称为寄生电容。
6、寄生电容一般是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，和一个电阻的串联，在低频情况下表现不是很明显，而在高频情况下，等效值会增大，不能忽略。
mos管寄生电容一般多大
1、这问题问的？MOS管是一个系列，功率从小到大很多品种，寄生电容各不相同。好比你问：一条船有多长？小舢板也许只有3米长，大油轮也许300米都不止。
2、mos的内阻值在70到200欧姆之间。因为mos接触电阻、通道电阻、扩散区电阻件值通过的阻值在70到200欧姆。根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。
3、走线寄生电容一般3~5pF。根据查询相关信息显示，从ST手册可以查到，STM32F103的晶振输入电容是5pF，而PCB走线的寄生电容可以估值3pF到5pF。
4、MOS管的寄生二极管方向如何； MOS管如何导通； 带着这几个问题，再看下面的内容，你会理解的更快、更多。 MOS管重要特性 导通特性 导通的意义是作为开关，相当于开关闭合。
5、输入阻抗高。由于栅源之间是SiO2层，栅源之间的直流电阻基本上就是SiO2绝缘电阻，一般达100MΩ左右，交流输入阻抗基本上就是输入电容的容抗。驱动电流小。
6、米线接地的寄生电容是0.3nH。寄生电容是指电感，电阻，芯片引脚在高频情况下表现出来的电容特性。
电力mos管为什么有损耗
1、我们知道MOS管是压控器件，不同于三极管是流控器件，但是实际上MOS管在从关断到导通的过程也是需要电流（电荷）的，原因是因为MOS管各极之间存在寄生电容Cgd，Cgs和Cds，如图4所示。
2、MOS的体积小，输入电阻大，噪声低，功耗低，易于集成。这些性能远比三极管要好，三极管的关键问题在于管子损耗太大，效率低。
3、MOS导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
4、从而减慢MOS管中的电荷注入速度，导致导通时间延长。功率损耗：较大的驱动电阻可能会导致额外的功率损耗，这是由于电流通过较大的驱动电阻时产生的额外电压降而导致的。这种额外功耗会导致MOS管的驱动速度下降。
5、你好：——★MOS管属于电压控制器件，它的输入阻抗非常高，很容易感应静电而击穿。所以应该采取措施加以保护。——★请看附图。...图中100K电阻和9V稳压二极管作保护，可以把感应静电限制、消除。
6、MOS管的损耗主要在两个方面，导通损耗，这个很好理解，就是本身 内阻的损耗。开关损耗，这个是最主要的，MOS管在开关中，存在开通与关断有着大量损耗，其中的开通损耗又占主要比例。
怎么测MOS管的寄生电容
1、若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏，用二极管档测量时，万用表显示的读数接近于零。用万用表的二极管档给5N60C栅源两极（G-S两极）之间的电容充电。
2、连接时应始终使用栅源电阻。这将有助于避免栅极处的噪声，也有助于释放器件的寄生电容。在mos管的栅极处应始终使用低量程电阻。最后，通过测试电路技术进行测试时，一定要使用低端开关电路。否则，mos管将无法工作。
3、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。