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场效应和MOS管有什么区别呢?
场效应管（FET）分为MOS场效应管（MOSFET）和结型场效应管（JFET）。现在主要使用MOS场效应管，即通常所称的MOS管。 MOS是金属（Metal）-氧化物（Oxide）-半导体（Semiconductor）的简称，即栅-二氧化硅-硅。
区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管，比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件，这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。
性质上的区别 三极管，是一种控制电流的半导体器，是半导体基本元器件之一，是电子电路的核心元件。
场效应管是个什么东西?原理作用都是什么?
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。
场效应管（Field-EffectTransistor，FET）是一种电子器件，其工作原理是通过控制一个电场来控制传导。FET有三个极，包括源极（S）、漏极（D）和门极（G）。
磁场效应管是一种电子器件，它的工作原理是：当一个外加的磁场通过磁场效应管的控制电极时，它会改变控制电极的电容，从而改变磁场效应管的电流。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。
mos管的作用及原理
1、MOS管可以作为开关、放大器、稳压器等电路中的关键元件，其作用是控制电流的流动，从而实现电路的控制和调节。MOS管的原理是基于场效应的，即通过控制栅极电场强度，改变半导体中载流子的浓度，从而调节电路的电流。
2、MOS管（金属氧化物半导体管）是一种电子元器件，具有高电阻比和较低的漏电流，常用于制造电路板和集成电路。MOS管由两个基极和一个漏极组成，其中基极之间形成一个控制电流的通道。
3、mos管工作原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。mos管是一种具有绝缘栅的FET，其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET中存在的缺点，如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。
4、作用：可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。
5、其主要原理如图：作用：由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近。
6、由于扩散作用使多数载流子在浓度差梯度的方向上集中从而形成少数载流子的注入-迁移现象。pn结的反向击穿当外加电压超过一定值时，少数载流子的数量超过了多数载流子数量的两倍时就会发生反向击穿而使二极管损坏。