本文目录一览：
电动汽车变流器中的电力半导体器件有几类?
绝缘栅控型门极可控晶闸管 (IGCT)：IGCT是一种高电压、高电流应用中常用的功率半导体器件。它们具有可控性，可用于高功率应用，如工业电机驱动和电力输电系统。
高效性：SiC 和 MOSFET 半导体通常具有较低的导通和开关损耗，可以提高充电效率，减少能量浪费。 高频率操作：这些半导体可以在高频率下工作，这在高功率充电中非常有用。高频率充电系统可以更小巧，提供更快的充电速度。
逆变器：IGBT用于逆变器，将电池提供的直流电转换为电动机所需的交流电。这有助于控制电机的速度和转矩，以实现加速、减速和回馈能量到电池。 充电器控制：IGBT用于充电器系统，以控制电池的充电速率和状态。
电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率（通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上）电子器件。
碳化硅mos为什么标内阻
内阻除了可以指输入阻抗，也可能指输出阻抗，确切意义要看具体场合，所以内阻和输入阻抗的定义不完全是一回事。在 你举出的那句话——比如MOS管就是这样，内阻小，输入阻抗高——里，“内阻”就是指输出阻抗。
mos管内阻大小由器件的电流、沟道长度和沟道宽度控制。
mos输入阻抗大(在正常工作范围内可以认为是无限大)，GATE浮空时容易积累压差。而BJT(三极管)输入阻抗小。
负载过重或有短路。散热不好热击穿。电压不稳定造成。内阻为零的电源是理想电压源，理想电流源的内阻为无穷大。理想电压源不允许短路，因为内阻为零，输出电压恒定，如果短路电流会无穷大，功率无穷大。
另外手册上的Rds（on）基本上就是该元件典型的内阻，只要完全导通，误差不很大。mos管 mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
内阻越小承受电流越大（因为发热小）。MOS 问题远没这么简单，麻烦在它的栅极和源级间，源级和漏级间，栅极和漏级间内部都有等效电容。
碳化硅MOS为什么要到1200V?
由于器件结构的原因，碳化硅MOSFET的体二极管是PiN二极管，器件的开启电压高，损耗大。在实际使用中，往往会通过并联肖特基二极管作续流，减小系统损耗。
碳化硅基电力电子元件之所以备受关注，一个重要原因是在相同阻断电压条件下，其掺杂密度几乎比硅基设备高出百倍。这使得可以在低导通电阻下获得高阻断电压。
SiC器件： 国际上600~1700V SiC SBD、MOSFET已经实现产业化，主流产品耐压水平在1200V以下，封装形式以TO封装为主。
封装一般已贴片为主，用量蛮大。高压MOS 一般以500V 600V 650V(这个电压值的比较常规）700V 800V ，现在超结MOS也称COOLMOS的1000V 1200V 1600V，也已经常规化。
MOS管：金属-氧化物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。
这是因为导通压降和耐压的关系的限制。新型的碳化硅MOSFET的耐压等级可以做到1200V。对于高耐压情况，IGBT结合了MOSFET和晶体管的特性，具有MOSFET优异的开关性能和晶体管的静态性能，在1000V~6000V应用场合更受到青睐。
功率半导体器件有哪些分类?
- 双极型晶体管（BJT）：常用于放大和开关应用。- 场效应晶体管（FET）：包括金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极晶体管（IGBT），用于功率放大和开关应用。
目前半导体元件包括 ： 二极管、三极管、场效应管、晶闸管、达林顿管、LED以及含有半导体管的集成块、芯片等。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。