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开关电源MOS管有哪些损耗,如何减少MOS管损耗?
1、减小损耗通常有两个方法，一是缩短开关时间，二是降低开关频率。由压控所导致的的开关特性。由于制作工艺的限制，NMOS的使用场景要远比PMOS广泛，因此在将更适合于高端驱动的PMOS替换成NMOS时便出现了问题。
2、减少开关时间可以减少每次导通时的损耗；降低开关频率可以减少单位时间内的开关次数。这两种方法都可以降低开关损耗。
3、米勒平台时间内，Vds开始下降，米勒平台的持续时间即为Vds电压从最大值下降到最小值的时间。
4、电流：MOS管的功耗与流过电流成正比。因此，通过减少电流可以降低功耗。电压：MOS管的功耗与两端的电压成正比。因此，通过降低电压可以降低功耗。开关频率：MOS管的功耗与开关频率成正比。
开关损耗的简介
输入部分损耗：包括脉冲电流造成的共模电感T的内阻损耗加大，开关电源在通断的过程中，电流迅速变化，导致共模电感T的线圈中产生了很大的反电动势，这个反电动势阻止了电流的变化，使电流不能突变，从而产生了内阻损耗。
导通损耗是当功率器件已被开通，且驱动和开关波形已经稳定以后，功率开关处于导通状态时的损耗；开关损耗是出现在功率开关被驱动，进入一个新的工作状态，驱动和开关波形处于过渡过程时的损耗。
开关损耗包括导通损耗和截止损耗。导通损耗指功率管从截止到导通时，所产生的功率损耗。截止损耗指功率管从导通到截止时，所产生的功率损耗。
开关电源变压器的磁滞损耗与绕组的匝数和驱动办法有关。它选择了每个作业周期在B-H曲线内扫过的面积，扫过的面积越大，磁滞损耗就越大。
电力电子器件的损耗主要包括两个方面：开关损耗和导通损耗。开关损耗是由于器件在开通和关断过程中产生的。当电力电子器件作为开关使用时，其状态会在开通和关断之间不断转换。
导通损耗是指在导通状态下电路中的电流通过器件时所产生的损耗，通常是由器件的电阻和导通时的热效应所引起的。而开关损耗则是指在开关器件由关闭状态转换到导通状态时，由于开关器件的电容特性和电感特性导致的能量损耗。
开关电源变压器的损耗主要包括
1、变压器自身的损耗主要包括铁芯损耗和磁滞损耗，其中铁芯损耗是由于变压器的铁芯磁化所产生的损耗，而磁滞损耗则是由于磁场的变化而产生的损耗。输出滤波器的损耗则主要是由于电容和电阻等元件的损耗所导致。
2、变压器的损耗包括空载损耗Po、短路损耗Pk及杂散损耗Ps。空载损耗又叫变压器的铁损，是指发生于变压器铁芯叠片内，周期性变化的磁力线通过材料时，由材料的磁滞和涡流产生的，其大小与运行电压和分接头电压有关。
3、变压器作为一种静止的电器设备，在电力系统中是一种必不可少的，构成变压器的损耗是由铁芯损耗（不变损耗简称铁损），铜损（可变损耗）和附加损耗三部分组成。
电力电子器件功率损耗主要为
1、通常情况下电力电子器件功率损耗主要是器件发热，谐波，容抗，感抗等原因造成器件功率损耗。
2、电力电子器件的损耗主要包括两个方面：开关损耗和导通损耗。开关损耗是由于器件在开通和关断过程中产生的。当电力电子器件作为开关使用时，其状态会在开通和关断之间不断转换。
3、在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗 电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。
岸电箱逆顺可以输出电压么
不可以，三根火线（380V）是经变压器后供船上用电的，且大多实施是低压用电36V的，220V接进会出事故的。
此时，建议检查电压稳定性，如有必要，调整电压输出。