mos管代替三极管（如何用mos代替二极管）

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不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必。

栅源电压大于0：n沟道耗尽型mos管恒流区栅极上需要施加正向偏压，当栅源电压大于0时，栅极与源极之间的绝缘层中的电子空穴对被击穿，形成导电沟道。

无论是N沟道型或P沟道型，都有增强型和耗尽型两种。N沟道增强型绝缘栅场效应管以P型硅片作为衬底.其间扩散两个高掺杂的N区并引出两个电极，作为源极S和漏级D。

MOS管是电压控制器件，三极管是电流控制器件。控制原理不一样，MOS管不能代替三极管。当MOS管有电流输入时，MOS管内部会对电流进行锁存，与至于电流不断增大，会烧掉MOS管。可控硅里的三极管也一样，不能用MOS代替。

可以。如果要工作在开关状态，就必须使得MOS管处于可变电阻区和夹断区。

既然三极管可以作为开关电源的开关，那么为什么还要用mos管？MOS管损耗比三极管小，导通后压降理论上为0。MOS管为电压驱动型，只需要给电压即可，意思是即便串入一个 100K 的电阻，只要电压够，MOS管还是能够导通。

mos管叫场效应管，mos管和三极管不能直接代换，因它们的工作机理不一样。mos管是电压控制器件而三极管是电流控制器件。

三极管c5171可以用C441C323C316C314C3150、C297C2660型号三极管代替。两个PN结把整块半导体分成三部分，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。生产厂家：日本三洋公司。制作材料：Si-NPN。

mos管代替三极管（如何用mos代替二极管）

mos是电压型器件，栅极输入阻抗高，对电压非常敏感，只需uA级或mA级电流即可启动。而三极管的驱动电流较大，导通时间相对长，开关损耗就大。同时，mos的Rds小，压降小，自身的耗散功率就小。

因为这种方案已经成熟，散热不是问题，系统稳定性较高。小功率LED电源可以不用考虑使用外挂MOS，再说内置MOS方案EMC指标很容易通过。

mos管驱动要用图腾柱，是因为MOS管的栅极输入电阻极大，使得驱动电路必须以非常大的电流去给栅极电容充电和放电。

实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。

MOS管比三极管最大的优点是所需的驱动功率小。MOS是电压驱动，三极管是电流驱动。

MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。

工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

工作性质：三极管属于电流控制，MOS管属于电压控制。成本方面：三极管价格比MOS低。功耗方面：三极管损耗比MOS大。驱动能力：三极管用于数字电路开关控制。

MOS管：MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。

1、工作原理：三极管是利用小电流控制大电流，具有电流放大作用；MOS管金属具有高输入阻抗、低功耗、开关速度快等优点，通常用于高速电路和开关电源中。

2、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，mos管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

3、优点：场效应管：具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

4、MOS管优点：电压控制；控制方式比较方便。体积小，重量轻，寿命长。输入电阻高，噪声低，热稳定性好，抗干扰能力强，功耗低。缺点：熟悉的人比较少；（相比三极管而言）。对静电比较敏感，容易被静电击穿。

5、MOS管：管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。三极管：是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

6、(3)特点不同：三晶体管是电子元件中的一种器件。其特点是体积小、重量轻、耗能少、寿命长及可靠性高等等优点，广泛应用于各种电子产品中；如电视机显像管中的荫罩就是用硅二氮化镓制成的小功率晶体管来驱动的。