本文目录一览：
- 1、我想用耗尽型mos管,但知道的型号不多,不好选择,很想请大家给一些型号我...
- 2、液晶驱动板常用mos管型号
- 3、贴片mos管型号大全
- 4、mos管型号有哪些?
- 5、常用大功率MOS管/MOS模块有哪些型号规格参数?
我想用耗尽型mos管,但知道的型号不多,不好选择,很想请大家给一些型号我...
1、耗尽型N沟道的MOS管有：BSP149，BSP135，BSS229等高耐压的 英飞凌品牌的。
2、即：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。具体到型号，你可以在网上搜一下，有MOS管型号对照表。
3、IRFP250N：这是一款N沟道MOS场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关速度、抗电磁干扰等特点，在冷焊机中应用广泛。
4、GT2305。根据查询电器网显示，常用大功率mos管型号GT230GT340GT230GT3401，MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种。即N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。
5、IRFZ44N是一种N沟道MOS场效应管，电压等级为55V，电流等级为49A，具有低导通电阻和高开关速度。IRF3205是一种N沟道MOS场效应管，电压等级为55V，电流等级为110A，具有较低的开关电阻和高开关速度。
液晶驱动板常用mos管型号
1、KIA1N60H、KIA1N65H等型号。根据查询广东可易亚半导体官网信息显示，mos管内阻较大的型号有KIA1N60H、KIA1N65H、KIA2N60H、KIA2N65H、KIA3N80H、KIA4N60H、KIA4N65H、KND4360A和KND4365A等。
2、-5v可以驱动的mos管，所有的开关三极管、MOS管、可控硅、节能灯、电子镇流器里使用的1300130013007等都能被驱动。根据相关公开资料查询了解到，MOS，是MOSFET的缩写。
3、mos管型号如下：增强型mos管：采用双栅极结构或耗尽层结构的增强型mosfet的栅源电压为8v左右。肖特基势垒二极管：其正向漏极电流密度可达100a/dtl以上。这种器件工作于反向击穿区时能承受较大的浪涌电流冲击。
4、华硕从P55开始喜欢用NXP的MOS管。之前喜欢用NIKOsemi。微星从P45开始喜欢在高端主板上用Renesas的DrMOS，有时也用ONsemi。技嘉从P35开始用NECEL的MOS，NECEL被收购后换了ONsemi。低端板子也是NIKOsemi的天下。
贴片mos管型号大全
1、mos管型号如下：增强型mos管：采用双栅极结构或耗尽层结构的增强型mosfet的栅源电压为8v左右。肖特基势垒二极管：其正向漏极电流密度可达100a/dtl以上。这种器件工作于反向击穿区时能承受较大的浪涌电流冲击。
2、KIA1N60H、KIA1N65H等型号。根据查询广东可易亚半导体官网信息显示，mos管内阻较大的型号有KIA1N60H、KIA1N65H、KIA2N60H、KIA2N65H、KIA3N80H、KIA4N60H、KIA4N65H、KND4360A和KND4365A等。
3、V53A，600V55A，600V57A，600V60A的MOS，600V63A，600V67A，600V70A，600V72A的MOS，600V74A，600V77A，600V80A，600V85A，600V88A的MOS，600V90A，600V95A，600V100A，600V110A，600V120A的MOS管。
4、各行业应用较多的是TO-220F（塑封），TO-220AB（铁封），TO-3P，TO-247。因为芯片大小关系，电流小的一般用TO-220，而电流较大会用TO-247的。
5、M6标记的是S9015三极管，可以用2TY（S8550）或2A（2N3906）代替。2A表示最常用的MMBT3906，MMBT3906是一颗通用晶体管。L6型号为“BSS69R”。
mos管型号有哪些?
GT230GT340GT2305。根据查询电器网显示，常用大功率mos管型号GT230GT340GT230GT3401，MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种。
贴片8脚场效应管MOS管9926A20V6A双N沟道，产品广泛应用于显示屏车载LED照明无线充方案，产品型号(PartNo.)：9926A。
大致分为：主要的有150V-2A，3A，15A，20A，150V-79A MOS管。其次是105A，150A，150V-310A ，250V-18A，33A，44A，250V-58A MOS管，69A，90A MOS管。
mos管型号如下：增强型mos管：采用双栅极结构或耗尽层结构的增强型mosfet的栅源电压为8v左右。肖特基势垒二极管：其正向漏极电流密度可达100a/dtl以上。这种器件工作于反向击穿区时能承受较大的浪涌电流冲击。
IRFP460：这是国际整流器公司生产的一款大功率mos管，最大漏极电流可达20安培，最大漏极电压可达500伏特。IXFN44N50Q2：这是英飞凌公司生产的一种大电流mos管，最大漏极电流可达44安培，最大漏极电压可达500伏特。
耗尽型N沟道的MOS管有：BSP149，BSP135，BSS229等高耐压的 英飞凌品牌的。
常用大功率MOS管/MOS模块有哪些型号规格参数?
1、MOSFET模块简称MOS模块，一般采用SOT-227封装，海飞乐技术封装碳化硅MOS管，SIC MOS模块，包括车用低压大电流MOSFET模块。功率MOS模块有以下优点：开关速度快，安全工作区宽，热稳定性好，线性控制能力强，电压控制。
2、这些大功率的进口的比较多，台湾也有几个品牌。这个有20A，29A，30A，33A，34A，38A，45A，600V47A MOS管，50A，55A，60A。海飞乐技术封装这些MOS。
3、N10的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为3V，反向恢复时间(trr)为47nS，输出电容(Coss)为373pF，其中有3条引线。
4、耗尽型场效应管 ：具有一个或多个在电气上与沟道相互绝缘的栅极的场效应半导体器件。
5、海飞乐技术有很多规格参数：20V、30V、40V、50V、60V、80V、100V、200V、500V、600V。 封装有：TO-220，TO-247，TO-3P，SOT-227。台湾工研院技术支持。