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一般的电磁阀的额定功率是多少啊
标准电压24VDC /5W ， 110VAC/5W ，220VAC/5W 用万用表量一下线圈的电阻，再与标称电压相乘。气动电磁阀液压的功率好像有30瓦左右。 电磁阀最低功率为：0.18瓦，可以用PLC或者其他低压电路带动。
kw-0kw。国家要求燃气灶电磁阀额定主火热量流大于5kw，燃气灶的热负荷并不是越高越好，一般来说功率在8kw-0kw就行，0kw是家庭燃气灶最合适的功率。
V电磁阀功率在12W左右，电流约500mA。功率计算公式：P=W/t =UI=FV。在纯电阻电路中，根据欧姆定律U=IR代入P=UI中还可以得到：P=IR=(U)/R。
mos管的最大持续电流是如何确定的?
确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。
MOS管的的最大允许电流是靠设计参数来确定的，使用电气参数测量方法无法确定，不过可以使用测量导通电阻方法估算，大约是V/导通电阻，V是参考压降，取值0.8-3，高压管取值大些，低压管取值小些。
确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。
参考器件手册，MOS管的使用，散热条件很重要！要大的散热器帮助散热！DS接一个大功率的负载电阻(有可调的)，然后试着调整！但一般不这样做。
Ig：MOS栅极驱动电流；Vb：稳态栅极驱动电压；第三种：以IR的IRF640为例，看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。
mos利用散热片通大电流
主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。
一般来说，以常规散热条件（足够大的散热片+必要的风扇），能做到1/10就很不错了。
线性恒流电路的MOS管当然会发热，需要加散热片。发热量有多少，取决于MOS管上的电压和电流，应根据发热量选择散热片的大小尺寸，如有必要，可以加散热风扇甚至水冷装置。
此外，mos管的散热要求可能需要更大的散热面积、更高的风扇转速等，而笔记本散热系统很难满足这些要求。相反，mos管通常使用散热片、散热器和风扇组成的专门散热系统来进行散热。
mos管被高压或大电流损坏后,现象是开路还是短路
1、首先，断开控制器与电源连接，把控制器粗黑线与粗红线碰接短路，这样做的目的是放完内部电容余电。然后，把三根粗黄线对粗黑碰线短接，目的同上。一定要放电后再进行测量。这三根粗黄线实际上是三根相线。
2、MOS 误导通，形成上下臂短路。所以这个很考验设计师的驱动电路布线和主回路布线技能。最终就是找个平衡点（一般开通过程不超过 1us）。开通损耗这个最简单，只和导通电阻成正比，想大电流低损耗找内阻低的。
3、在负载短路的情况下，电路中的电流会急剧增大，这会导致器件（例如MOS管）承受的电流过大，超过其额定值，从而可能导致器件烧毁或损坏。
4、短路后SiC MOSFET 由线性区（linear region）进入饱和区（saturation region），拐点电压非常高，因此Id电流增加的同时，Vds随着上升，进一步扩大短路损耗。
5、短路：是指电路或电路中的一部分被短接。如负载与电源两端被导线连接在一起，就称为短路，短路时电源提供的电流将比通路时提供的电流大得多，一般情况下不允许短路，如果短路，严重时会烧坏电源或设备。
6、会短路。mos管贴合不良会影响管内的电流大小，会造成短路现象。短路是指电路或电路中的一部分被短接。
