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求解:增强型NMOS管的三个工作区的电流电压方程???
1、算一下几个值就好了，UGS=6V。UDS=8V。
2、NMOS管的工作状态主要分为三类：截止区，线性区（或称为三极管区），以及饱和区。首先，截止区是当NMOS管的栅极电压低于阈值电压，使得沟道无法形成，源极和漏极之间处于高阻态。
3、增强型：UGS=0时，管内无沟道建立，加上UDS后，也无漏极电流ID。N沟道：D和S极为N型半导体，衬底为P型半导体。工作原理：（1）UGS=0 管内无沟道建立，DS之间等价于2个背对背的二极管串联。
4、MOS管有四个极：漏极Drain，源极Source，栅极Gate，衬底Bulk。
5、这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。
6、放大区 晶体管放大区是指晶体管输出特性曲线中每条曲线近似水平部分的集合所对应的区域。这表明，在集射电压U(CE)一定的范围内，集电极电流I(C)与U(CE)无关，只取决于I(B)的值。
MOS管夹断电压疑惑,而由图片可以得知,VDS此时出于夹断电压的点时VDS=...
你应该站在中间那个门极想两边的源极和漏极看，以门极为中心，如果说Vgs大于开启电压时，形成沟道。
mos管vds电压计算方法：根据P=I*I*R，得出I=3A。所以MOS管的选型应Vds＞272V，ID＞3A。你所问的Vds是指D极相对于S极的电压，也就是由原来的参考地改为以S作为参考。
夹断区，当导电沟道完全被夹断时，Id≈0；饱和区Id的数值取决于Ugs（栅源电压）的大小。
主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。
详解功率MOS管的每一个参数
1、选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。
2、负载电流IL ——它直接决定于MOSFET的输出能力；输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率； MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标。
3、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。