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三极管的深度饱和的简单介绍

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三极管饱和条件

主要是根据两个pn结的偏置条件来决定:发射结正偏,集电结反偏——放大状态;发射结正偏,集电结也正偏——饱和状态;发射结反偏,集电结也反偏——截止状态。

三极管工作在饱和区的条件是发射结正偏,集电结正偏。根据查询相关资料显示:三极管工作在饱和区基极电流足够大,集电极和基极,基极和发射极的的PN结都正偏的情况下。

三极管属于电流型控制元器件,也就是小电流控制大电流,其有三个工作区间:截止区、放大区和饱和区。

饱和的条件:集电极和电源之间有电阻存在,且越大就越容易管子饱和;基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低,从而出现b较c电压高的情况。

从电压上描述是:三极管发射结正向偏置, 集电结零偏置或正向偏置;Ube ≈ 0.7 V,Ubc ≥ 0 V 。从电流上描述是:基极电流乘以放大倍数大于集电极电流:Ib * β Ic ≈ Vcc / Rc,电源电压除以集电极电阻。

因此在近似计算时认为晶体管截止时的iC=0。饱和区:Ib足够大;C极不能开路,并有负载(电阻);在电路中测ce两端电压接近零伏小于eb电压是饱和状态;ce电压高于eb电压,一般在二分之一左右的电源电压是放大状态。

如何选择限流电阻数值,使三极管进入深度饱和状态请详

1、饱和和导通的话就基本上已经跟放大倍数没有什么关系了,R51实际上在此刻是作为限流电阻来使用的,在Ic=50mA,Ib=5mA的时候Vbe=0.95V三极管就会进入饱和状态,那么R1=(3V-0.95V)/5mA。

2、集电极限流电阻根据你的需要来确定(饱和时三极管压降很小,0.1V左右);三极管饱和时的集电极电流除以三极管放大倍数就是基极电流,算出基极限流电阻即可。一般基极电阻适当小一些,确保三极管进入饱和状态。

3、选择电阻之前,应先根据自己的需要将发射极与集电极回路确定下来,然后通过调整基极电阻,来确定其饱和与截止。

怎样让三极管工作在饱和状态

发射结正偏,集电结反偏——放大状态;发射结正偏,集电结也正偏——饱和状态;发射结反偏,集电结也反偏——截止状态。

三极管属于电流型控制元器件,也就是小电流控制大电流,其有三个工作区间:截止区、放大区和饱和区。

从电压上描述是:三极管发射结正向偏置, 集电结零偏置或正向偏置;Ube ≈ 0.7 V,Ubc ≥ 0 V 。从电流上描述是:基极电流乘以放大倍数大于集电极电流:Ib * β Ic ≈ Vcc / Rc,电源电压除以集电极电阻。

数电的问题就比较复杂了。你前面的说法不能说是正确的。因为三极管是电流控制元件,要让三极管饱和,必须在B极输入一定的电流,光加电压还没有用。