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mos管栅极电阻选取方法?
1、MOS管栅极串联电阻的确定方法：当 Rg 增大时，导通时间延长，损耗发热加剧； Rg 减小时， di/dt 增高，可能产生误导通，使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。
2、这是两个N沟道增强型CMOS管，在其栅极施加正电压将形成导电沟道，MOS管的漏-源极呈现低阻状态，相当于开关接通，电机转动。
3、场效应管的栅极，一般都是绝缘栅，所以其栅极与漏极，源极是不导电的，栅极电阻只是用于给栅级注入电荷或者抽干电荷，所以这个电阻大小应该以你所需要的信号上升、下降时间来选择。
4、用普通小电阻即可，MOS管栅极电流很小，这个电阻主要跟上升/下降时间有关系，一般选择几十欧姆的电阻即可。
5、场效应管是压控型器件，控制极即栅极的内部电阻非常大，几乎等效于电容特性。那么栅极的外接电阻的取值范围比较宽，功率要求几乎没有，电阻的稳定性和一致性应该适当较高要求。
6、方法：选择合适的MOS管型号和工作条件。不同型号的MOS管具有不同的栅极电阻值和工作特性，应该根据具体的应用需求选择合适的MOS管。优化MOS管的结构和工艺。
M0S管源极电阻是怎么计算的?
mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron=1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。
开关电源中MOS的源(S)极的那个下地电阻是过流保护的取样电阻，它的取值应该与过流设定值和芯片的保护阀值电压有关，一般计算应是：电阻值=芯片保护阀值电压/过流电流设定值。
MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ，实际上，线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数； 如果是电流饱和区，则交流电阻近似为无穷大，直流电阻也是很大的。
用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对VMOS管N沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。
导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。
场效应管的栅极上电阻取值计算
1、MOS管栅极电阻的选取可以通过以下步骤进行：确定电路的工作电压 range。确定工作状态下 MOSFET 的最大电流。根据最大电流和工作电压确定 MOSFET 的额定功率。通过选择电阻值来将功耗限制在额定范围内。
2、场效应管是压控型器件，控制极即栅极的内部电阻非常大，几乎等效于电容特性。那么栅极的外接电阻的取值范围比较宽，功率要求几乎没有，电阻的稳定性和一致性应该适当较高要求。
3、MOS管栅极串联电阻的确定方法：当 Rg 增大时，导通时间延长，损耗发热加剧； Rg 减小时， di/dt 增高，可能产生误导通，使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。
4、若两次测出的电阻值均很大，阐明是PN结的反向，即都是反向电阻，能够断定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，阐明是正向PN结，即是正向电阻，断定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。
5、一：计算下偏置电阻R2值Ube：三极管基极发射极电压，锗晶体三极管约为0.2V；硅晶体三极管约为0.6-0.7V。
mos管关断电阻一般为多少
1、欧姆和50k。根据查询相关过来信息显示，1000欧姆电阻和50k电器可用于mos管栅极。Mos管用于控制大电流通断，经常被要求数十K乃至数M的开关频率。
2、mos的内阻值在70到200欧姆之间。因为mos接触电阻、通道电阻、扩散区电阻件值通过的阻值在70到200欧姆。根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。
3、大功率mos管(不仅仅是irfp4468)在开通和关断时基本不需要多大栅极电流，因为只是给寄生电容（P法级）充放电而已，栅极电阻倒是必要的，几百欧姆足以。
4、光mos不导通电阻一般为几千欧姆，具体取决于器件的型号和参数。一般来说，光mos的电阻相对较高，因为其主要应用于控制性的应用场合，如电源控制、开关等。
5、一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通，但是为了考虑可靠性，往往是加上一个电阻，接到12V左右，这是我们常用的。如图我们产品中的一个图，是电机驱动，用的就是MOS的开关特性。