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可控硅控制器
1、将可控硅的控制极（G）连接到一个控制信号源，例如一个微控制器或一个PWM信号发生器。通过改变控制信号的频率和占空比，可以控制可控硅的导通和截止。
2、js3000@可控硅控制器 内部集成了75度超温保护报警装置。js3000@可控硅控制器内部采用军工级精密电压传感器，进行过压，限压保护。
3、可控硅控制器就是可控硅模块加可控硅触发板组成，可以方便温控器控制，可控硅触发板设计了多种输入信号控制（0-10V ，0-5V，4-20MA，继电器，电位器）。输出方式：过零，移相2种。
数显温控仪控制的三相可控硅功率调节器如何接线
1、数显温控仪控制的三相可控硅功率调节器接线方法：温控分型控制、4-20mA和0-10V控制等多种控制方式。中性点控制适用于交流接触器。最后两种类型的 4-20mA 特殊触发晶闸管是最受欢迎的。
2、普通的温控仪图形标的很清楚1号线接地、2号线接相线、3号接零线、15和16是电偶线，好的接正极，另一个脚接负极，10号是控制线进、9和11号是控制线出，用于连接接触器线圈等控制。
3、将温控仪控制端的公共端子接电源的B（C）相，常闭控制端子接380伏接触器线圈端子A2端。当温控仪达到设定温度时，切断380伏接触器线圈A2的电源。温度低于温控仪设定温度时，接通A2端电源，实现温度自动控制。
可控硅调功器的技术指标
额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。
可控硅控制器内部采用调压、调功、整流一体化技术。同时具有恒流控制、恒压控制、恒功率控制。
可控硅调功器以可控硅（电力电子功率器件）为基础，以智能数字控制电路为核心来控制电源功率。其通过对电压、电流和功率的精确控制，从而实现精密控温。并且凭借其先进的数字控制算法，优化了电能使用效率。
可控硅（ControlledSilicon）是一种半导体材料，具有较高的电导率，通常用于电力电子器件的开关应用中。可控硅调功器是一种利用可控硅来调节电流的电子器件。它通常由一个可控硅桥式开关和一个调节电路组成。
负载类型可以是三相阻性负载、三相感性负载及三相变压器负载；三相负载可以是中心接地负载、中心不接地负载、内三角形负载及外三角形负载。
可控硅调功器
可控硅控制器工作原理是通过对电压、电流和功率的精确控制，从而实现精密控温。
电力调整器是应用晶闸管及其触发控制电路用于调整负载功率的盘装功率调整单元。现在更多的是运用数字电路触发可控硅实现调压和调功。调压采用移相控制方式，调功有定周期调功和变周期调功两种方式。
可控硅调功器是一种利用可控硅来调节电流的电子器件。它通常由一个可控硅桥式开关和一个调节电路组成。
可控硅调功器是一种电子调功器，它使用可控硅作为控制元件，可以控制电路中的电流或电压，从而调节电路的功率。
可控硅调功器以可控硅（电力电子功率器件）为基础，以智能数字控制电路为核心来控制电源功率。其通过对电压、电流和功率的精确控制，从而实现精密控温。并且凭借其先进的数字控制算法，优化了电能使用效率。
负载过轻：负载电流较小，通过可控硅的电流也会较小，导致功耗不足以使其温度升高。
求大功率可控硅调压器原理图
大功率可控硅调压器原理图如下图所示 可控硅，一种新型的半导体器件，它具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、动作快以及使用方便等优点，目前交流调压器多采用可控硅调压器。
：电路原理：电路图如下 可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原里图如下图所示。从图中可知，二极管D1—D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。
：电路原理：电路图如下 可控硅交流调压器由可控整流电路和触发电路两部分组成，其电路原里图如下图所示。从图中可知，二极管D1—D4组成桥式整流电路，双基极二极管T1构成张弛振荡器作为可控硅的同步触发电路。
可控硅调速是用改变可控硅导通角的方法来改变电动机端电压的波形，从而改变电动机端电压的有效值，达到调速的目的。