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集成电路简介集成电路的工作原理以及用途
集成电路的作用：减少元器件的使用。集成电路的诞生，小规模的集成电路使内容元器件的数量减少，在零散元器件上有了很大的技术提高。产品性能得到有效提高。
用集成电路来装配电子设备，其装配密度比晶体管可提高几十倍至几千倍，设备的稳定工作时间也可大大提高。
集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。
集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。
集成电路工艺主要分为哪几类?每一类中包括哪些主要工艺并简述工艺的主...
1、集成电路工艺主要分为哪几类集成电路工艺主要分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路3类。
2、导线可分为铝工艺（以溅镀为主）和铜工艺（以电镀为主参见Damascene）。主要的工艺技术可以分为以下几大类：黄光微影、刻蚀、扩散、薄膜、平坦化制成、金属化制成。
3、按制作工艺分类主要有膜集成电路和混合集成电路两大类别。其中，膜集成电路又分为厚膜集成电路（1～10（tm）和薄膜集成电路（小于1 gm）。膜集成电路和混合集成电路一般用于专用集成电路，通常称为模块，简称集成电路（IC）。
4、数字集成电路（Digital Integrated Circuit，简称DIC）：由数字电路组成，主要用于数字信号处理、计算机控制等领域。数字集成电路包括逻辑门电路、计数器、寄存器、存储器等。
5、功能结构集成电路，又称为IC，按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类。制作工艺集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和膜集成电路。
干氧氧化和湿氧氧化的特点
1、水汽氧化的氧化速率比干氧氧化大。而湿氧氧化实质上是干氧氧化和水汽氧化的混合，氧化速率介于二者之间。
2、干法氧化和湿法氧化的区别如下：干法氧化通常使用空气或纯氧气进行氧化，这种方法相对较慢，需要更长时间。而湿法氧化则使用氧气或臭氧水溶液，这种方法可以在较短的时间内达到氧化效果。
3、干氧的氧化膜结构致密、均匀性和重复性好、掩蔽能力强、钝化效果好、但生长速率慢。湿氧的氧化膜结构疏松，表面有缺陷，含水量多，对杂质的掩蔽能力差，但生长速率快。
4、湿式氧化工艺是一种使用溶液中的氧来氧化物质的工艺。因为在水中可以溶解出大量的氧分子，它的氧化能力相较于其他工艺更强，所以湿式氧化工艺是一种很有效的氧化技术。
5、湿氧氧化与干氧氧化的唯一区别就是湿氧中含有水分。
6、氧化反应的特点如下：氧化反应是一种化学反应，其主要特点包括：氧原子的增加：在氧化反应中，通常至少有一个物质失去电子，氧原子数量增加。这个物质称为被氧化剂，因为它提供了氧或者接受了电子。