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三极管的导通电压多大?
1、一只三极管是由两个PN结组成。因此，硅材料三极管需要4V以上才能导通；锗材料三极管需要0.6V以上。三极管导通后，它的压降就等于该管本身的饱和压降了ces，通常很小、只有零点几伏了。
2、三极管导通时，c、e间电压可低至0.1v，但不可能为“0”。这是无触点开关的小缺点。
3、三极管的导通电压是不确定的，因为是电流控制元件。
4、当A点输入6V时（B、C点高电位），发射极的二极管承担0.7V，所以T1基极应该为3V，这里T1没有Vcc。
N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...
1、不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必。
2、栅源电压大于0：n沟道耗尽型mos管恒流区栅极上需要施加正向偏压，当栅源电压大于0时，栅极与源极之间的绝缘层中的电子空穴对被击穿，形成导电沟道。
3、无论是N沟道型或P沟道型，都有增强型和耗尽型两种。N沟道增强型绝缘栅场效应管 以P型硅片作为衬底.其间扩散两个高掺杂的N区并引出两个电极，作为源极S和漏级D。
4、这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。
三极管饱和导通压降怎么算的?
1、解释：输入电压5V时，三极管（NPN型）处于饱和状态，由于忽略集电结的饱和导通压降，所以输出为0；输入0V时，三极管处于截止状态，所以输出为0V。
2、饱和压降就是当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结（饱和压降就是：当晶体管达到饱和导通时晶体管集电结（ C）与发射结（E）之间的电位差。压降就是：两点之间的电位差。饱和。
3、=Ic/Ib≈3倍。以上的计算说明：当这个晶体管的放大倍数大于3时，此晶体管就能处于饱和状态。由于晶体管存在饱和压降，此压降值一般为0.1~0.3V，所以此电路通电后，三个电极的电位应该是VbVcVe。
4、饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。
5、三极管饱和导通时的压降硅管0.7V，锗管0.3V。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
6、深度饱和时，发射结正偏，集电结也正偏，但此时Uce并不为0，一般最小在0.3V左右，即饱和管压降。
三极管的压降指什么?
1、三极管饱和压降Vce(sat)三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
2、三极管Uces：即饱和状态，指晶体管的一种低电压、大电流工作状态（即开态）.晶体管的工作状态。Uce：称为压降，电流流过负载以后相对于同一参考点的电势（电位）变化。
3、电源的压降指的是用电场合的实际电压与变压器出口的电压之差。一般来说压降太大，是因为此电源回路中的用电负载太大。超过其设计的功率，导致线损增高。用户端电压降低。
4、饱和压降就是三极管当前的基级电流大于基级最大饱和电流，此时我们称判断电路处于饱和状态。具体判断方法如下：在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。
关于三极管的问题
你说的0.6-0.7V是三极管基极导通电压。根据PN结的特性，在正向导通后，PN结电压与电流基本上呈现指数关系，在一定条件下可以认为PN结电压恒定为0.7V左右，PN结通过的电流只与外电路相关。
Iceo：基极开路，集电极和发射极正向漏电流。
晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
某三极管有A、B、C三个电极，各电极的电位分别为Va=-4V、Vb=-3V、Vc=-8V，……答案是：B.基极、发射极、集电极 ；且为PNP型硅管。
对于Ic还可以做如下结论：Ic的本质是“少子”电流，是通过电子注入而实现的人为可控的集电结“漏”电流，因此它就可以很容易地反向通过集电结。