mos管源极（mos管源极和漏极并二极管）

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1、MOS管的三个极分别是：栅极G、源极S、漏极D。

2、MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

3、G（Gate，栅极）：这是MOS管的控制引脚。通过在栅极上施加电压，你可以控制MOSFET的通道的导电性，从而打开或关闭它。改变栅极电压可以控制MOSFET的导通与截止。

4、三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E分成NPN和PNP两种MOS管的源source和漏drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端。

5、或电源)、衬底→高电平(或电源)。MOS管有用的管脚就是三个：源极、漏极、栅极。多余的管脚或者是同名管脚（在内部和漏极、栅极相连，特别是有些大功率管），或者是空脚（没有内部连接，只起焊接固定作用）。

MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

MOS管三个极分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。当栅极和源极之间电压大于某一特定值，漏极和源极才能导通。

G（Gate，栅极）：这是MOS管的控制引脚。通过在栅极上施加电压，你可以控制MOSFET的通道的导电性，从而打开或关闭它。改变栅极电压可以控制MOSFET的导通与截止。

mos管源极（mos管源极和漏极并二极管）

1、漏极（Drain）：漏极是MOS管的输出引脚，它是电流从MOS管流出的地方。在MOS管上，通常有一个明确标记为Drain或D的引脚，它与漏极电流（ID）相关。

2、因为MOS管有体二极管，所以：如果是NMOS，用万用表二极管档量MOS管体二极管导通的两脚，正极是S极，负极是D极，剩下的是G极。

3、用测电阻法判别无标志的场效应管：首先用测量电阻的方法检测MOS管得找出两个有电阻值的管脚，也就是源极S和漏极D，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。

4、S（Source，源极）：这是MOSFET的源极，通常是电流进入MOSFET的地方。 D（Drain，漏极）：这是MOSFET的漏极，通常是电流离开MOSFET的地方。栅极控制了源极和漏极之间的通道的导电性。

5、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；首先找出场效应管的D极（漏极）。

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

漏极（Drain）：漏极是MOS管的输出引脚，它是电流从MOS管流出的地方。在MOS管上，通常有一个明确标记为Drain或D的引脚，它与漏极电流（ID）相关。

MOS管导通是在其栅极（G）端施加高电平，而源极（S）和漏极（D）之间的电势差超过了临界电压时发生的。因此，如果我们想让MOS管导通，需要将G端连接到高电平电源。

如果S为8V，G为8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。

当栅极和源极之间电压大于某一特定值，漏极和源极才能导通。MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于Sio2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。

单单栅极高电平也不行，还要看源极的电压多大，如果源极电压比栅极电压还大，他俩的差值超过了开启电压，那同样不会截止。

如图，在MOS管中，漏极所接线是位线而栅极所接线就是字线。字线为高电平时T管导通，字线为低电平时则截止。

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mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。