mos管开关波形（mos管开关电路图）

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梯形是驱动速度不足的现象，可以在G极电阻并一个反向二极管加速关断，或在G极加一个图腾。

原因包括：驱动电路中的电容或电阻出现故障，导致栅极电压无法正确地施加到MOS管上。mos管本身存在损坏或质量问题，导致其无法正常工作。

mos管的波形有跳周期的现象，不知道是不是示波器显示的问题，你可以周期打小看看，这些空隙的地方会不会消失。

尖峰电流的产生：其中一个方面是开关变压器的漏感太大了。另外请检测变压器的抗饱和能力。比如：初级工作电流多大，就给变压器初级加等同的电流值（或者略大的电流值）测试初级电感的衰减值。

mos管开关波形（mos管开关电路图）

PWM信号是PWM，英文名Pulse Width Modulation，是脉冲宽度调制缩写，是一种模拟控制方式，根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变。

PWM是脉宽调制的缩写。这是一种模拟控制方式。它根据相应负载的变化来调节晶体管基极或MOS栅极的偏置，从而改变晶体管或MOS管的准时时间，从而实现开关稳压电源输出的变化。

PWM是一种调制技术 PWM一般指脉冲宽度调制脉冲宽度调制是利用微处理器的数字输出来对模拟电路进行控制的一种非常有效的技术，广泛应用在从测量、通信到功率控制与变换的许多领域中。

由于当今科学技术的发展已经没有了学科之间的界限，结合现代控制理论思想或实现无谐振波开关技术将会成为PWM控制技术发展的主要方向之一。

你这个电路其实叫做BUCK开关电源电路，是一种降压型开关电源。下面回答你的问题：单片机的PWM波可以驱动MOS管，但取决于你的MOS管类型，你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。

1、梯形是驱动速度不足的现象，可以在G极电阻并一个反向二极管加速关断，或在G极加一个图腾。

2、V输出电压下降很快，大约在十几秒后降至不足1V。不过此时mos管两端电压无论波形还是周期都回到正常情况。5V电压跌落后负载电流减小，开关电源控制芯片退出降频保护模式，但也许是临界状态，建议延长观察时间。

3、在R1栅极（你这是基极）旁对地并联一个电阻R，R的数值取二倍的R1。

1、光耦不能导通，因为发光二极管DS0-DS2极性接反，不能导通，电路不能工作。如果极性反过来，到是可以导通，但Vin0-Vin2要用低电平控制，即逻辑0控制光耦的导通。

2、I=0.4A，Uab=10v，Ucd=0v。

3、Uab＝0V，Ucd＝ix5＝5V。S打开时，回路断开，电流为0，则Uab＝6V，Ucd＝0V；S闭合时，回路闭合，电流为：i＝6/(0.5＋5)＝1A，故有：Uab＝0V，Ucd＝ix5＝5V。

4、断开：Uab即为电压源电压6V cd中没有电流流过，所以Ucd=0。

5、UAC=0，UDB=-10，所以：UAB=UAC+UCD+UDB=30/7-10=-40/7（V）。（b）I=（42-12）/（5+5+1+1+1+2）=2（A）。

6、电压ucd＝－15/(10＋5)x10＋10/(2＋3)x2＋6/(1＋1)x1＝－3V，电压uab＝－5＋ucd＝－8V。

1、工作频率是指变压器或者变换器的工作频率，其实也就是开关频率。对，你的测试方式是正确的。MOS的Gate方波频率即为变压器的工作频率。不知道你是做什么产品，如果是显示器的逆变，一般是50KHZ左右。

2、因此，降低了MOS晶体管的开关速度，并且还降低了器件效率。为了计算开关过程中器件的总损耗，需要计算导通期间的损耗（Eon）和关断期间的损耗（Eoff）。MOSFET开关的总功率可以用以下公式表示：Psw =（Eon Eoff）×开关频率。

3、漏极-源极阻抗RDS，阻抗越小温升越低，漏极电流越大，一般7N60的阻抗为1Ω，10N60的阻抗为0.7Ω。工作频率即开关时间TD，一般MOS管的开关时间70nS（纳秒）左右。这几个条件满足了，基本没问题。

4、在被测信号的作用下，电子束就好像一支笔的笔尖，可以在屏面上描绘出被测信号的瞬时值的变化曲线。