本文目录一览：
- 1、MOS管用数字万用表怎么测其好坏及引脚?
- 2、40v5a的mos管是什么意思?
- 3、详解功率MOS管的每一个参数
- 4、MOS管真有那么脆弱吗?
- 5、MOSFET为什么只有很小的反向击穿电压
- 6、『击穿电压』求问mos管的击穿电压一般是多少
MOS管用数字万用表怎么测其好坏及引脚?
用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。测量5N60C好坏时，首先将万用表量程开关调至二极管档，将5N60C的G极悬空，用红黑表笔分别接触5N60C的D-S两极，若是好的管子，万用表显示为“OL”，即溢出（见上图）。
\x0d\x0a\x0d\x0a2．判别其好坏 \x0d\x0a\x0d\x0a用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。
测电阻法检测MOS管是用万用表测量MOS管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同MOS管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
第一步：将万用表置于二极管档测量，用红表笔接控制器负极，黑表笔依次测量控制器主线中的黄、绿、蓝线，读数约在500左右（数字万用表），三次读数应基本一致。
让场效应管面对你 当场管带点的部位在你左下角时 左下从左向右第1脚一定是s级 然后用数字万用表的二极 管档测量 1脚和2脚如果通（阻值为零） ，再测量8脚和5脚 如果也通就证明5。6。7。8脚是d级 ，1。
数字万用表测MOS管的方法：(用2极管档)的方法取下坏的管测 逆变器IGBT模块检测 将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块CECE2之间以及栅极G与EE2之间正反向二极管特性，来判断IGBT模块是否完好。
40v5a的mos管是什么意思?
1、mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。
2、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
3、MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
4、V70A，500V72A的MOS，500V74A，500V77A，500V80A，500V85A，500V88A的MOS，500V90A，500V95A，500V100A，500V110A，500V120A的MOS管。
详解功率MOS管的每一个参数
耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。
负载电流IL ——它直接决定于MOSFET的输出能力；输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率； MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标。
功耗，功率的损耗，指设备、器件等输入功率和输出功率的差额。电路中通常指元、器件上耗散的热能。功耗同样是所有的电器设备都有的一个指标，指在单位时间中所消耗的能源的数量，单位为W。电路中指整机或设备所需的电源功率。
V53A，600V55A，600V57A，600V60A的MOS，600V63A，600V67A，600V70A，600V72A的MOS，600V74A，600V77A，600V80A，600V85A，600V88A的MOS，600V90A，600V95A，600V100A，600V110A，600V120A的MOS管。
，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。
MOS管真有那么脆弱吗?
1、过去的MOS管击穿电压一般都只有10几V，很容易就击穿了，而现在MOS管的击穿电压很多都到上百V了，只要不是静电太厉害的，问题都不大。当然，如果是做产品，很多企业有严格规定，不能随便摸得。
2、mos管有过载保护。据查询搜狐网资料，mos管具有较脆弱的承受短时过载能力，有过载保护。MOS管对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。
3、约？资芡饨绲绱懦』蚓驳绲母杏Χ？？又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。
4、在测量DS时候，最好将G与S短接，或者GS之间接一个电阻，或者放置在防静电的工作台上。由于MOS过于脆弱，一定保证人体无静电。从你测量的结果看，明显的G存储了电荷并导致DS导通，G的电荷释放后DS又恢复了正常。
5、其中一个主要的不同点在于MOS管有个可变电阻区，而三极管则是饱和区，没有可变电阻区的说法。
6、因为电流太大，MOS管和电感因为有很小的阻抗，也会发热，如果热量不能迅速的释放，那么很有可能会因热量堆积，温度上升，导致MOS管热击穿，最终损坏。
MOSFET为什么只有很小的反向击穿电压
1、这是变压器有饱和现象，或者线端口接触不良导致。控制器（controller）是机器的核心。标准定义为：按照预定顺序改变主电路或控制电路的接线和改变电路中电阻值来控制电动机的启动、调速、制动和反向的主令装置。
2、电压等级 电压等级是确定MOSFET首要特性的因素，即漏源击穿电压（VDS）。VDS是在栅极短路到源极、漏极电流在250μA情况下，MOSFET所能承受的保证不损坏的最高电压。需要注意的是VDS与温度有关，因此应考虑器件的温度系数。
3、MOSFET在没有电压的情况下是关闭状态。 当栅极与源极之间的电压小于阈值电压时（也称为门限电压），栅极不能控制沟道中的电子（或空穴）流动。
4、P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET类似，只是它使用P型沟道和N型基片。当在栅极上施加负电压时，P沟道通道变得导电，允许电流流通。总的来说，MOSFET的工作原理基于栅极电场控制半导体通道的电导性。
5、MOSFET击穿有很多原因，常见的有静电作用击穿，过温度击穿，过电压击穿，过电流击穿，还有就是生产过程的操作使MOSFET破裂致在上电后击穿。在开关电源中MOSFET击穿常见的现象就是炸机。
6、EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。 L是电感值，iD为电感上流过的电流峰值，其会突然转换为测量器件的漏极电流。电感上产生的电压超过MOSFET击穿电压后，将导致雪崩击穿。
『击穿电压』求问mos管的击穿电压一般是多少
1、不同型号的耐压不同，功率mos比较高，如irf640，耐压400v。
2、首先需要说40V不是开启电压，开启电压又叫阈值电压，一般都在2-6V之间。如果有型号可以查它的各种参数，如果单看40V5A，一般指的的是漏源击穿电压40V，漏源额定工作电流5A。
3、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
4、最好要在12V左右。mos管厄雷电压最好要在12V左右，这个电压越底，导通损耗越大。mos管是金属氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属、绝缘体、半导体。