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mos管什么时候导通,如何使得使能端为低电平?
1、如果S为8V，G为8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。
2、当输入信号电压为零时，mos管处于截止状态；此时集电极电流很小。截止状态：当输入的负偏置信号（例如地）加到mos管的基极上时，使管子导通而工作于截止区。在这种情况下输出端没有电流通过。
3、我们可以看到，N沟道的MOS管的电路中，BEEP引脚为高电平即可导通，蜂鸣器发出声音，低电平关闭蜂鸣器；P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断，GPS_PWR引脚为低电平时导通，GPS模块正常供电，高电平时GPS模块断电。
4、PMOS)。即：NMOS的g端为高电平时，d端与s端导通，为低电平时d端与s端断开；PMOS相反。PS：MOS管比较重要的参考有Vds，即d与s端允许的最大电压值；Ron，导通时的电阻；Ton，Toff，开关状态转变的时间。
5、N沟道的MOS管的电路中，BEEP引脚为高电平即可导通，蜂鸣器发出声音，低电平关闭蜂鸣器；P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断，GPS_PWR引脚为低电平时导通，GPS模块正常供电，高电平时GPS模块断电。
...的MOS管他的GS极的电压是多大就开始导通,最大能加到多大的电压才不...
IRF540N的导通起控电压为2-4V，GS极之间最高电压不能超过20V，质量较好的管子GS加6-8V就已经饱和导通（内阻最小），所以使用时如果有脉动或尖峰电压时，最好在GS两极之间接入一12-15V的快速稳压管。
一般2V～4V就可以了。P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为8V，G为8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为8V。
是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。
V。GS极的耐压值，正向和反向都是20V，超出这个值，管子会坏需要注意。MOS场效应晶体管通常简称为场效应管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。
一般mos管的饱和电压在10v，也有3-5v的，同一个mos管通过不同的电流栅极电压也不同的。mos管它的极间电容比较大，为了使mos管的开关速度快和减少功耗，就要对栅极快速充放电，驱动电路就是派这个用场的。
关于mos管的开启电压问题
是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。
问题的实质是：增强型MOS管的栅源电压也可以为0或负，只是这些情况与栅源电压未达到开启电压之前是完全一样的：截止。
mos管的开通和关断会产生交变电压。当场效应管（MOS管）被关闭（关断）或开启（开通）时，因为MOS管在开启和关闭的过程中，其输入电阻会不断变化，从而导致D-S（DraintoSource）间的电荷和电流发生变化，从而产生交变电压。
对的。p沟道增强型mos管的开启电压为负值是对的，因为栅极和衬底间被二氧化硅绝缘层所隔离，在栅极和源极之间加上电压vGS后，虽然会发生电子的迁移，导电沟道截面积的改变，但是不会有栅极电流流通，可以认为栅极电等于零。
