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MOS管的三个极分别是什么
MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。
MOS管三个极分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。当栅极和源极之间电压大于某一特定值，漏极和源极才能导通。
G（Gate，栅极）：这是MOS管的控制引脚。通过在栅极上施加电压，你可以控制MOSFET的通道的导电性，从而打开或关闭它。改变栅极电压可以控制MOSFET的导通与截止。
三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E分成NPN和PNP两种MOS管的源source和漏drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端。
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MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图
1、MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图现代单片机主要是采用CMOS工艺制成的。MOS管MOS管又分为两种类型：N型和P型。
2、CMOS门电路一般是由MOS管构成，由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔，在直流状态下，栅极无电流，所以静态时栅极不取电流，输入电平与外接电阻无关。
3、MOS管的工作原理可以用下图所示的电路来解释：图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。当控制电压Vc较低时，MOS管的通道内的电流较小，导致电流I从输入端流向输出端的电阻R3，最终流入漏极。
关于场效应管图形符号的问题
1、当基区注入少量电流时，在发射区和集电区之间就会形成较大的电流，这就是晶体管的放大效应。
2、目前，在有些人功率MOSFET管中的G-S极间或者D-S极间增加了保护二极管，以保护管了不至于被静电击穿。这种管子的电路图符号如图6-12所示。
3、有四种可能：增强型MOS管；耗尽型MOS管；耗尽型MOS管；结型管。见图：。
4、场效应管有多种形式，下图仅为其中的部分符号：详细可上网搜索。
5、场效应晶体管可分为结场效应晶体管和mos场效应晶体管。而mos场效应晶体管又分为n沟耗尽型和增强型；p沟耗尽型和增强型四大类。见下图。
6、结构与分类图 Z0122为N沟道结型场效应管结构示意图和它的图形、符号。
mos管三个引脚怎么区分
G（Gate，栅极）：这是MOS管的控制引脚。通过在栅极上施加电压，你可以控制MOSFET的通道的导电性，从而打开或关闭它。改变栅极电压可以控制MOSFET的导通与截止。
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
漏极和源极互换，若两次测出的电阻都很大，则为N沟道；若两次测得的阻值都很小，则为P沟道。判定源极S、漏极D：在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。
MOS管只有四个引脚，即漏极、栅极、源极和衬底。NMOS和PMOS的接法是不一样的。NMOS：漏极→输出信号、栅极→输入信号、源极→低电平(或地)、衬底→低电平(或地)。
场效应管与普通三极管功能一样，三个电极对应为：发射机---源极S，基极--栅极G，集电极--漏极D。IRF640管脚排列为（管脚朝下、面对型号）左起1脚为G，2脚为D，3脚为S。
mos管比较好判断的是栅极G，漏极D和源极S不好区分。首先说一下数字表和模拟（指针表）的区别，数字表的红、黑表笔对应代表正、负，指针表的红表笔代表负，黑表笔代表正，这是表的原理决定的。