mos管电流方程（mos管中电流方向）

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确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。

MOS管的的最大允许电流是靠设计参数来确定的，使用电气参数测量方法无法确定，不过可以使用测量导通电阻方法估算，大约是V/导通电阻，V是参考压降，取值0.8-3，高压管取值大些，低压管取值小些。

确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。

mos管电流方程（mos管中电流方向）

Rds = R0 + (Vgs - Vth) / Id 其中：- Rds是MOS管的输出电阻；- R0是漏极电阻，代表了MOS管导通时的固有电阻；- Vgs是栅源电压；- Vth是阈值电压，表示MOS管开始导通的门源电压差；- Id是通过器件的电流。

如下图所示是一个NMOS的模型图。MOS管是四端器件，包括源端（S）、漏端（D）、栅端（G）和衬底（B）。在标准CMOS工艺中，所有MOS管共用一个P型衬底，为了防止PN结正偏，P型衬底一般接GND。

Ron=1/[β(Vgs-VT)]。mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron=1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。

1、MOSFETS饱和时候的漏极电流公式：I=(1/2)UnCox（W/L）*（Vgs-Vth）式中：Un：为电子的迁移速率。Cox：为单位面积栅氧化层电容。W/L：氧化层宽长比。Vgs-Vth：为过驱动电压。

2、(1)VGS=0， VDS=0：漏源间是两个背靠背串联的PN结，所以d-s间不可能有电流流过，即iD≈0。(2)当VGS＞0，VDS=0时：d-s之间便开始形成导电沟道。

3、Rds = R0 + (Vgs - Vth) / Id 其中：- Rds是MOS管的输出电阻；- R0是漏极电阻，代表了MOS管导通时的固有电阻；- Vgs是栅源电压；- Vth是阈值电压，表示MOS管开始导通的门源电压差；- Id是通过器件的电流。

4、MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。有许多参数会影响开关的性能，但最重要的是栅极/漏极，栅极/源极和漏极/源极电容。这些电容器在设备中产生开关损耗，因为每次开关时都会对其充电。

5、第一种：可以使用如下公式估算：Ig=Qg/Ton 其中：Ton=t3-t0≈td(on)+tr td(on)：MOS导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。Tr：上升时间。

6、MOS管是四端器件，包括源端（S）、漏端（D）、栅端（G）和衬底（B）。在标准CMOS工艺中，所有MOS管共用一个P型衬底，为了防止PN结正偏，P型衬底一般接GND。Vs、VD、VG均相对于衬底电压定义。

还不错。龙腾mos管具有输入阻抗高、开关速度快、驱动功率小、安全工作区宽、温度稳定性好等特点，已广泛应用于开关电源、汽车电子、工业控制等行业领域。

MOS管的三个极分别是：栅极G、源极S、漏极D。

载流子：三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。

高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。

不可以。耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢，所以mos管耐压高不可以代替耐压低。MOS是MOSFET的缩写，即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管，属于绝缘栅型。

工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，mos管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

S到D，若SG之间电压大于gs很多(不是刚刚超过gs)，则S到D之间电阻与D到S电阻相同，为相当小的数值，可称为Ron。

第一种：可以使用如下公式估算：Ig=Qg/Ton 其中：Ton=t3-t0≈td(on)+tr td(on)：MOS导通延迟时间，从有驶入电压上升到10%开始到VDS下降到其幅值90%的时间。Tr：上升时间。

算一下几个值就好了，UGS=6V。UDS=8V。

NMOS管的工作状态主要分为三类：截止区，线性区（或称为三极管区），以及饱和区。首先，截止区是当NMOS管的栅极电压低于阈值电压，使得沟道无法形成，源极和漏极之间处于高阻态。

增强型：UGS=0时，管内无沟道建立，加上UDS后，也无漏极电流ID。N沟道：D和S极为N型半导体，衬底为P型半导体。工作原理：（1）UGS=0 管内无沟道建立，DS之间等价于2个背对背的二极管串联。

这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。