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MOS管输入输出特性曲线和三极管输入输出特性曲线的参数一样吗?_百度...
■三极管的特性曲线曲线就是在不同的基极电流下绘制出来的集电极电流与其集电极电压的关系曲线。因此有几种基极电流，就有几条这种曲线，叫做特性曲线簇。
三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
晶体管的转移特性曲线是描述三极管的各端电流与两个PN结外加电压之间的关系的一种形式，其特点是能直观，全面地反映晶体管的电气性能的外部特性。
三极管的输入输出特性曲线通常被分为以下几个区域：截止区：当输入电压小于截止电压时，三极管处于截止状态，此时输出电流为0，输入输出特性曲线上对应的点为截止点。
详解功率MOS管的每一个参数
1、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
2、选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。
3、负载电流IL ——它直接决定于MOSFET的输出能力；输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率； MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标。
4、功耗，功率的损耗，指设备、器件等输入功率和输出功率的差额。电路中通常指元、器件上耗散的热能。功耗同样是所有的电器设备都有的一个指标，指在单位时间中所消耗的能源的数量，单位为W。电路中指整机或设备所需的电源功率。
mos晶体管的工作原理
1、工作原理：在MOSFET中，连接极与P沟道区域之间隔离，因此不会直接通过电流。连接极上的电压会影响N沟道区域的电流。当连接极的电压升高时，N沟道区域的电流会增加，电流就会从源极流入汇极。
2、MOS管由两个基极和一个漏极组成，其中基极之间形成一个控制电流的通道。当通道的控制电压较低时，通道内的电流较小；当通道的控制电压较高时，通道内的电流较大。
3、mos管工作原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。mos管是一种具有绝缘栅的FET，其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET中存在的缺点，如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。
4、MOS管的原理是基于场效应的，即通过控制栅极电场强度，改变半导体中载流子的浓度，从而调节电路的电流。MOS管的结构由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底组成。
MOS管的datasheet中Ido怎么看
你问的应该是，MOS管内部的二极管，反向导通。一般MOS管，衬底由于存在流离的电子、空穴。对D S 都有流向，这个流向可以表示为二极管，即体二极管。然而S和衬底是连在一起的，所以体二极管仅表示衬底对D漏极的二极管。
场效应管，输入阻抗高，电压控制电流，受噪声干扰大，放大倍数小；三极管，输入阻抗相对低些，电流控制电流，相对受噪声干扰小，放大倍数相对大。Ido是UGSQ为两倍开启电压UGS(th)时的一个值。
Ig：MOS栅极驱动电流；Vb：稳态栅极驱动电压；第三种：以IR的IRF640为例，看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。