本文目录一览：
- 1、三极管和MOS管做开关管时,一般怎么选择?
- 2、MOS管封装与参数有着怎样的关系,如何选择合适封装的MOS管
- 3、如何选择开关电源上的MOS管
- 4、怎么选择降压电路驱动电路的mos管尺寸
- 5、buck电路mos管耐压的选取
三极管和MOS管做开关管时,一般怎么选择?
根据开关频率选择 三极管和MOS管都有开关频率/响应时间的参数，如果是用在高频电路中必须考虑开关管的响应时间是否满足使用条件。
我们在做电路设计中三极管和mos管做开关用时候有什么区别 工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大。
控制原理不同 MOS管用电压控制，三极管用电流控制。成本造价不同 MOS管造价贵，三极管造价低。功率消耗不同 MOS管功耗低，三极管功耗大。
就有推挽输出模式。用NPN三极管时，为了避免单片机上电复位时I/O口为高电平这种情况，你可以在单片机和三极管之间加一个数字非门，要选用74/54HC系列的COMS管，用单片机低电平驱动三极管即可。希望会对你有所帮助。
MOS管封装与参数有着怎样的关系,如何选择合适封装的MOS管
法则之四：选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能 影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。
Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。
，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。
这个主要是看你用在什么上面，然后根据你的应用选择参数。一般来说，考虑的参数是Vds，Ids以及Rds这三个，还有有的会考虑Ciss这个参数的，希望能帮到你。
负载电流IL ——它直接决定于MOSFET的输出能力；输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率； MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标。
选择所需符合的安规及电磁兼容 （EMC） 认证。开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制（PWM）控制IC和MOSFET构成。
如何选择开关电源上的MOS管
当电源IC与MOS管选定之后， 选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。
如果是低频开关电路，可以选三极管，高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区，比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。
，根据输出功率以及输入最小电压可以求出Ipft，一般mos的导通压降不大于最小Vdc的2%，所以可以推出其Rds。又由于Rds和温度有关，依据Rds选择是注意其余温度的关系。2，还有一种方法就是给定一个温差，然推出Rds。
怎么选择降压电路驱动电路的mos管尺寸
查看电路板上的标识：有些电路板上会标注MOS管的型号，可以直接从标识上找到。查看MOS管的封装：MOS管的封装形式也会有一定的特征，例如TO-2TO-92等，可以通过封装形式来初步判断MOS管的型号。
可以用这个型号的MOS管：WPM2341-3/TR N沟道的，封装小巧，用在600mA电流的场景够用又有一定的余量，比较合适。
降压式DC-DC开关电源 降压式DC-DC开关电源通常使用MOSFET管作为开关元件来实现升压、降压或反相等功能。其驱动电路的主要目的是为了控制MOSFET的开关状态，从而保证DC-DC开关电源的输出电压稳定，效率高。
buck电路mos管耐压的选取
1、mos管耐压值选择具体如下：MOSFET的耐压，一般根据负载的类型来考虑余量。如果是纯阻性负载，开关频率很低，那么余量可以小一些。
2、选择高耐压元器件，Buck芯片中包含多种电子元器件，如MOS管、二极管等。优化布局设计，合理的电路布局可以降低芯片内部的干扰和噪声，同时也可以避免信号交叉引起的问题，从而提高芯片的稳定性和耐压性能。
3、一般宽电压范围反激电源AC/85～265V的MOS管耐压选：650V，单电压范围反激电源AC/180～265V的MOS管耐压选：800V。