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请高手帮忙看一下,我这个光耦驱动MOS管的电路有问题吗?如果有的话问题...
1、光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
2、光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件，光电耦合器件广泛运用在电脑终端机，可控硅系统设置，测量仪器、影印机、自动售票、家用电器，比如电风扇、加热器等。
3、不建议使用以下这类用通用光耦搭的电路，有诸多麻烦。建议使用 TLP250 或类似芯片。
4、增加电路的电流放大倍数和电压隔离。在电路设计中，使用达林顿管来驱动光耦合器再驱动MOS管的原因是为了增加电路的电流放大倍数和电压隔离。达林顿管是由两个晶体管级联组成的特殊结构，具有很高的电流放大倍数。
5、你的电路我看了一下，简单说你的图是单片机的输出控制部分，由单片机的P0来控制电磁阀动作。
请教各位师傅一个光耦驱动MOS管的问题
光耦输入侧光二极管需要加限流电阻。MOS管栅极需要加稳压管限压。24V可能导致MOS管g-s击穿。
光耦TLP521不能直接驱动mos管。tlp521是可控制的光耦合器件，光电耦合器件广泛运用在电脑终端机，可控硅系统设置，测量仪器、影印机、自动售票、家用电器，比如电风扇、加热器等。
MOS管通常需要驱动电路来控制其开关状态。光耦可以用于隔离控制信号与高电压/高电流的负载之间，以保护控制电路。但是，光耦本身并不能提供驱动信号，因此驱动电路仍然需要使用。
增加电路的电流放大倍数和电压隔离。在电路设计中，使用达林顿管来驱动光耦合器再驱动MOS管的原因是为了增加电路的电流放大倍数和电压隔离。达林顿管是由两个晶体管级联组成的特殊结构，具有很高的电流放大倍数。
MOS管驱动需要对栅极快充快放电，以降低管子开关损耗。用专门驱动电路或芯片的目的就是起到这个作用。用光耦由于里面只有一个三极管，驱动时只能做到快充或快放不能兼顾。
驱动一个MOS管肯定没问题的。他的输出是两路互补的驱动信号。
龙腾中高压mos管
1、还不错。龙腾mos管具有输入阻抗高、开关速度快、驱动功率小、安全工作区宽、温度稳定性好等特点，已广泛应用于开关电源、汽车电子、工业控制等行业领域。
2、mos管的作用：可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。
3、高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同 耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。
4、不可以。耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢，所以mos管耐压高不可以代替耐压低。MOS是MOSFET的缩写，即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管，属于绝缘栅型。
5、- IGBT：IGBT是一种绝缘栅双极性晶体管，它结合了MOSFET和双极性晶体管的特性。IGBT有一个绝缘栅极、PN结和双极性晶体管的结构。它适用于中高电压和中频率应用。
6、PWM控制IC+内置MOS管电源IC：CR6229T.CR6221---PWM控制IC，内置高压MOSFET---建议做5W（建议输出电流1A内），CR6224---PWM控制IC，内置高压MOSFET---建议做12W内（建议输出电流1A内）。