mos管1n60（mos管1n60参数）

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1、mos容易坏，换成其他的也容易坏，环境的因素无法改变，换质量好一点的不就行了。

2、可以用06N03 09N03 60N03 90N03代换。

3、听朋友说，在更换MOS管的时候，不同的主板，如果都是775的CPU，那么MOS管是可以互换的，上管之间也可以混用，下管之间也可以混用，以这样的原则来代换MOS管应该没问题吧。

4、电路基础与常用元件的用途什么叫电路？电路是由相互连接的电子电气器件4953的作用：行驱动管，功率管。

1、将耐压测试仪的一端直接夹在被测设备的外壳上，测试仪的另一端连接到被测设备的输入电源端。慢慢调整电压到你需要测试的耐压值。如果没有报警，表示通过。测试时注意安全，被测设备和操作人员必须绝缘，防止触电。

2、在测量微波炉高压二极管好坏时，可用万用表的电阻档，断开电路进行单独检测。万用表红棒通表里电池负极，在进行检测时用红棒接二极管负极，黑棒接二极管正极，这样才能正常导通。当微波炉高压二极管损坏时必须更换新的高压二极管。

3、用两个表笔分别接触保险管的两端，电阻值一般应该接近0是好的保险管。

4、用万能表测量，电机运行时用万能表交流电压挡测量每相电压.2断开接点，形成独立绕组，用万能表高阻挡测量测各个绕组之间、绕组与机壳之间的绝缘情况（均为不通）。

mos管1n60（mos管1n60参数）

1、mos容易坏，换成其他的也容易坏，环境的因素无法改变，换质量好一点的不就行了。

2、不能代换。 K15J50D 场效应管，主要参数是15A/ 500V ，电焊机常用场效应管。11N60场效应管，主要参数是11A/600V，常用于液晶电视开关电源。两个型号耐压不同，不能代换。而且外形大小不同，代换比较麻烦。

3、这两种封装样式的MOS管外观差不多，可以互换使用，不过TO-220背部有散热片，其散热效果比TO-220F要好些，价格相对也要贵些。这两个封装产品适于中压大电流120A以下、高压大电流20A以下的场合应用。

4、n60是现在常用的n沟道场效应三极管，其漏极电流id为1a，耐压值为600v。

5、开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决：A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管，因为内阻越小，cgs和cgd电容越大。

6、这是锗检波二极管，可以用1N60代替，也是锗管，参数优于你要的2AP9。

1、也就是说，1N400系列是一个整流电流为1安培、反向耐压从50伏到1000伏的一系列整流管型号。国产二极管的标示，2AP1为例，2就是二极管，A就是锗材料，P就是普通管，1是器件序号。

2、N60是现在常用的N沟道场效应三极管，其漏极电流Id为1A，耐压值为600V。

3、检波二极管2AP系列是锗管，正向压降≤0.3V。

4、利用光生伏特效应可制成太阳电池。此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心，是现代电子技术的基础。

5、常用的国产检波二极管有2AP系列锗玻璃封装二极管。常用的进口检波二极管有1N34/A、1N60等。检波二极管的工作原理检波二极管具有结电容低，工作频率高和反向电流小等特点，传统上用于调幅信号检波。

6、MOS管：场效应管。采用绝缘栅结构的晶体三极管，输入阻抗高，输出呈电阻态。

1、K1341场效应管可用K1342 （900V 8A 100W N）替换。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。

2、可以用MMF80R900PTH，MMF65R190P 这两个型号代换，其实某宝很多卖家，完全可以买原型号啊！超结温场效应管不建议用普通场效应管代换！10N60是耐压600V，电流10A的N沟道场效应管。

3、可以用很多10A耐压600V或以上的N型MOSFET管代替，前边的字母可以忽略不计，有很多厂商都在生产这种型号的管子，只要中间含有10N60的管子，一般都可以代替，不一定要买FQPF字头的，FQPF只是美国仙童公司产的型号。

4、这个是场效应管，多用于电拼车充电器内部，该型号器件耐压在600V+，不能用普通管子代换，拆机管子价格在5-3元内（最好能够购买到韩国产的）。

5、N60A是场效应管：600V，5A，50W。可代换的型号有：5N600、6N600，K214K254SSS7N60 只要耐压大于600V、电流大于5A的场效应管都可代替。

6、场效应管cs8n60用10n60型号管子代换。场效应管cs8n60参数：8n60，5A，600V，RDS=2欧。10n60参数：10A，600V，RDS=0.73欧。场效应晶体管简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管。