n沟道mos管开关（n沟道mos管好坏判断）

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P沟道增强型MOS管上面讲的是N沟道增强型MOS管。对于P沟道增强型MOS管，无论是结构、符号，还是特性曲线，与N沟道增强型MOS管都有着明显的对偶关系。

P型MOS管的导通条件：靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。

MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。

n沟道mos管 p沟道mos管其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。

n沟道mos管开关（n沟道mos管好坏判断）

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

G（Gate，栅极）：这是MOS管的控制引脚。通过在栅极上施加电压，你可以控制MOSFET的通道的导电性，从而打开或关闭它。改变栅极电压可以控制MOSFET的导通与截止。

这是MOS管热释电红外传感器，那个矩形框是感应窗口，G脚为接地端，D脚为内部MOS管漏极，S脚为内部MOS管源极。在电路中，G接地，D接电源正，红外信号从窗口输入，电信号从S输出。

源极（Source）：源极是MOS管的输入引脚，它是电流流入MOS管的地方。在MOS管上，通常有一个明确标记为Source或S的引脚，它与源极电流相关。通常，MOS管的引脚标记会在器件的外壳上清晰可见，以帮助区分这三个引脚。

N-MOSFET，P沟道的MOS，电子迁移率大概只有N沟道的1/3，市场上的P沟道管种类远远少于N沟道管，价格还贵，控制也不方便，要负压控制。

N60C是N沟道MOS场效应管，参数为：漏极电流5A；D-S耐压600V。常用于开关电源中作开关管。电动车充电器也是用开关电源的，该管估计也是充电器的开关管。

方案2用N沟道场管，IRF640N可行。两个方案都是低电平接通电磁阀，高电平断开。向左转|向右转场效应管要注意防静电。很容易烧坏的。

IRF540N的使用方法是：将IRF540N接入开关电路中即可发挥N型场效应管的作用。三个腿从正面看分别是G、D、T。G的作用是控制极，D的作用是与散热孔铁片相连，T的作用是用来接地。

安装面(无字、安装散热片一面)对着自已，管脚朝上，从左到右分别是，场效应管：G，D，S；但凡有散热片的，散热片与D极相连。三极管：b、c、e。但凡有散热片的，散热片与c相连。

场效应管与普通三极管功能一样，三个电极对应为：发射机---源极S，基极--栅极G，集电极--漏极D。IRF640管脚排列为（管脚朝下、面对型号）左起1脚为G，2脚为D，3脚为S。

日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。检查放大能力(跨导) 将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极GG2。

1、流过的正向电流。n沟道增强型电力场效应晶体管关断的条件让向金闸管流过的正向电流，处于比维持电流小的情况，就可以将其进行关断。

2、PMOS增强型管：uG-uS|uGS(th)| ， uGS|th|是开启电压； NMOS增强型管：uG-uS0，且 |uG-uS||uGS(th)| ，uGS|th|是开启电压； PMOS导通是在G和S之间加G负S正电压。NMOS相反。

3、最好是让MOS管处于饱和和截止状态的时候，具体的要求是。

4、看电路图的箭头是指向哪里，箭头方向相反的电流就是导通，方向相同就是截止。P沟道的源极S接输入，漏极D导通输出，N沟道相反。导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。

5、判断mos工作在放大区，饱和区，截止区，击穿区。