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如何加快mosfet的开关速度
1、可以在栅极加个跟随器来驱动栅极，可以缩短开关时间，在栅极加个电阻或电容到地对场管开关的过程进行放电，以上都是提高开关速度的方法。
2、主要是提高栅极的驱动能力。因场效应管栅极电容的影响，一般需要大于正负1A的驱动能力，栅极电阻不大于10欧，反向接二极管提高关断速度。
3、电场控制：MOSFET的导电是通过一个栅极上的电场控制的。当栅极电压改变时，电场会改变沟道的电导率，导致快速的开关操作。这种电场控制使MOSFET的开关速度非常快，通常在纳秒级别。
三极管和MOS管,开关速度谁快呀?
关断速度是三极管最快。但MOS管关得最彻底。
速度：MOS管开关速度不高，三极管开关速度高 工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制 阻抗：三极管输入阻抗小，MOS管输入阻抗大。频率特性：MOS管的频率特性不如三极管。
三极管开关速度高，大型三极管的Ic可以做的很大，缺点损耗大，基极驱动电流大，驱动复杂。
为什么mos管具有开关速度快、开关功耗低等特性?
1、近几年来平板电视机的开关电源大都采用大功率MOS管作为开关管，之所以采用MOS管是基于以下几方面的优势：输入阻抗高。输入阻抗之高，是普通大功率三极管无法比拟。
2、MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。
3、这两种水管区别在于工作原理和结构。工作原理：三极管是利用小电流控制大电流，具有电流放大作用；MOS管金属具有高输入阻抗、低功耗、开关速度快等优点，通常用于高速电路和开关电源中。
4、采用MOS管的开关方式实现了对信号链路关断或者打开；由于其功能类似于开关，而用模拟器件的特性实现，成为模拟开关。和模拟开关在电子设备中主要起接通信号或断开信号的作用。
5、区别在于MOS管使用电压控制开关状态而三极管是用电流控制开关状态。MOS管和三极管也可以不用做开关管，比如三极管经常工作于放大区用作电流放大器件，这是就不能算开关管。功率管是相对于信号管而言的。
6、控制原理不同 MOS管用电压控制，三极管用电流控制。成本造价不同 MOS管造价贵，三极管造价低。功率消耗不同 MOS管功耗低，三极管功耗大。
mos管做开关的原理是什么
1、MOS管的主要作用是放大电信号，用于电子设备中的开关控制、电源管理、数据传输等方面。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。
2、MOS管的原理是基于场效应的，即通过控制栅极电场强度，改变半导体中载流子的浓度，从而调节电路的电流。MOS管的结构由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底组成。
3、mos管的开关电路原理MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）管的开关电路原理是通过控制门电压来控制通过MOSFET管的电流。当门电压高于源电压时，MOSFET管导通，当门电压低于源电压时，MOSFET管不导通。
4、mos管工作原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。mos管是一种具有绝缘栅的FET，其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET中存在的缺点，如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。
5、工作原理：MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
6、你电路的问题很明显，要了解原理，请参考以下电路：带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。
如何提高MOS管开关速度?
主要是提高栅极的驱动能力。因场效应管栅极电容的影响，一般需要大于正负1A的驱动能力，栅极电阻不大于10欧，反向接二极管提高关断速度。
第6脚接地是为了提高电路稳定性。在一些需要较高驱动能力的场合，第6脚会被用来接入一个推挽输出来驱动MOS管，这可以提供更大的驱动电流，进而提高MOS管的开关速度以满足高速切换的需要。
MOS管就是场效应管，20A的电流别无选择，只能场效应管。场效应管的开关频率一般可达300MHz，也就是微秒级别的，开关电路一般用到毫秒。提高关断速度，只要提高栅极的速度即可。
电场控制：MOSFET的导电是通过一个栅极上的电场控制的。当栅极电压改变时，电场会改变沟道的电导率，导致快速的开关操作。这种电场控制使MOSFET的开关速度非常快，通常在纳秒级别。
在开关管耐压足够的情况下尽可能提高反射电压，反射电压就是输出电压乘以匝比。换言之就是增大匝比，还有变压器的匝数选择要正确，不然会很热，导致效率低下。确实不知道变压器的设计的话，建议你找一些辅助计算软件。