mos管发热严重（mos管发热）

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开关损耗与功率管的cgd和cgs以及芯片的驱动能力和工作频率有关，所以要解决功率管的发热可以从以下几个方面解决：A、不能片面根据导通电阻大小来选择MOS功率管，因为内阻越小，cgs和cgd电容越大。

过电压：过电压是指输入端电压超过了MOS管和功率电感的额定电压。当输入端电压过高时，MOS管和功率电感可能无法承受电压的冲击，导致损坏。过电流：过电流是指输入端电流超过了MOS管和功率电感的额定电流。

A和B点，这就是两个关键的测试点，基本上反映了开关电源的工作状态和故障所在，导通的时候的尖峰电压和尖峰电流非常大，如果能够将导通的尖峰电压和尖峰电流消除，那么损耗能降一大半，MOS发热的问题就能解决。

驱动频率过高，G极驱动电压不够，通过漏极和源极的Id电流太高。buckboost电路mos管发热原因是驱动频率过高，G极驱动电压不够，通过漏极和源极的Id电流太高，重要的是进行正确的测试，才能发现问题所在。

如果希望工作在开关状态。MOS管的驱动方式不正确。由于MOS栅极有很大的电容（几百上千Pf ）因此开关开通与关断过程很长，会造成很大的损耗。所以会发烫。MOS管用于开关运行时需要良好的驱动电路。

有可能是共态导通导致的，同一桥臂的上下两个管子同时导通，导致MOS管发热严重。

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原因是你的这个变压器功率要比前者大的缘故。芯片发烫那是你散热的方式不好，电流降低一半它的自身功耗也跟着下降了，所以温升就下降了。解决的办法就是在PCB上设置芯片的散热通道，或者选用加大散热面积的方法。

仿真是没问题的，但实际使用中会有很多问题：由于电机是电感性负载，必须在其两端加续流二极管（负极接电机上端，正极接电机下端），而且电流要足够，否则在MOS管关断时电机产生的感应电压会击穿MOS管。

可能是你的线路不太对，或者是线路太复杂了；可能是软件本身的BUG。

mos管发热严重（mos管发热）

1、MOS发烫肯定是功率损耗在上面了。原因是未工作于开关状态。

2、如果希望工作在开关状态。MOS管的驱动方式不正确。由于MOS栅极有很大的电容（几百上千Pf ）因此开关开通与关断过程很长，会造成很大的损耗。所以会发烫。MOS管用于开关运行时需要良好的驱动电路。

3、输入电容容值过小，容易导致电容发热，适当增大电容容值，可以降低电容发热的风险。电容质量不好或者使用时间过长，会导致电容老化或者帆陆损坏，需要更换新的电容。

4、负载为大电感（如电机），在电路断电瞬间，可能烧它。

5、电路无法看清。猜，是驱动模块有问题。模块无法在电流达到一定值时关闭MOS管。

6、更严重的是若振荡的幅值达到MOSFET的门槛电压，下管将开通，而上管正处于导通状态，此时将造成上下功率管的直通现象，造成MOSFET的损坏。以上现象可以通过调整驱动电路参数加以抑制。

1、如果MOS管没有完全饱和导通，必须按实际漏极源极的电压和电流计算。额定功率是指使用足够大的散热器所能承受的耗散功率。9W的话，必须加足够的散热器。

2、功率指物体在单位时间内所做的功的多少，即功率为描述做功快慢的物理量。功的数量一定，时间越短，功率值就越大。求功率的公式为功率=功/时间。功耗，功率的损耗，指设备、器件等输入功率和输出功率的差额。

3、驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为：I=cvf，考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v和f。