mos管2302（MOS管2302 23A 20V单价）

本文目录一览：

相对于三极管，用小功率mos管，比如SI230SI2302，在实际使用中不是很理想，主要是微功率MOS管，容易烧坏，抗冲击能力太弱尤其是mos管导通之后的内阻太低，容易被瞬间大电流冲击烧坏。

ASEMI低压MOS管SI2302的参数为：最大电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为0.14Ω，漏极极容为7nF，能耗为8W，最大功耗为5W。

耗尽型N沟道的MOS管有：BSP149，BSP135，BSS229等高耐压的　英飞凌品牌的。

MOS管内部都有反向二极管并联，这是MOS管生产工艺决定的，无法避免。所以，MOS管的反向压降就是二极管的正向电压，大约是1～5V。

其实这两颗mos管都是2302这个型号，只不过SI2302是市面上一般的2302打的中性标签，而SI2302DS是VISHAY的型号。场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。

可以使用带阻三极管替代。常用的型号为：KRA106S PNP、KRC106S NPN。相对于三极管，用小功率mos管，比如SI230SI2302，在实际使用中不是很理想，主要是微功率MOS管，容易烧坏，抗冲击能力太弱。

mos管2302（MOS管2302 23A 20V单价）

1、①、关于以上的这MOS管Sl2302是不能替代AO3400A管子的，原因是，向那SI2302属于N沟道MOS场效应管，参数是//耐压：20V//电流：1A，而那AO3400A也属于N沟道MOS场效应管，参数是//耐压：30V//电流：7A//。

2、MOS管的衬底B与源极如果不连在一起，则D、S极可以互换，但有的MOS管由于结构上的原因（即衬底B与源极S连在一起），其D、S极不能互换。作开关管用的场效应管，一般都是功率型NMOS管，就属于这种特例。

3、对。选用开启电压低一些的，Vdss＞5V，Idss＞100mA即可，可以用AO3400。由于MOS导通电阻很小，可以忽略其压降，发光管压降按2V计算，发光管电流取10mA即可，所以R=(VCC-2V)/10mA，如果VCC是5V那么电阻R=300Ω。

2、相对于三极管，用小功率mos管，比如SI230SI2302，在实际使用中不是很理想，主要是微功率MOS管，容易烧坏，抗冲击能力太弱尤其是mos管导通之后的内阻太低，容易被瞬间大电流冲击烧坏。

3、它也是一个极限参数，是指20N20性能不变坏时允许的最大漏源功率耗散。使用时，20N20的实际功耗应小于PDSM，并留有一定的余量。IDSM—最大漏源电流。

4、耗尽型N沟道的MOS管有：BSP149，BSP135，BSS229等高耐压的　英飞凌品牌的。

1、耗尽型N沟道的MOS管有：BSP149，BSP135，BSS229等高耐压的　英飞凌品牌的。

2、即：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。具体到型号，你可以在网上搜一下，有MOS管型号对照表。

3、IRFP250N：这是一款N沟道MOS场效应晶体管，具有低导通电阻、高开关速度、抗电磁干扰等特点，在冷焊机中应用广泛。

4、GT2305。根据查询电器网显示，常用大功率mos管型号GT230GT340GT230GT3401，MOS管有N沟道和P沟道两类，每一类又分为增强型和耗尽型两种。即N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。

5、A：潍坊汇川mos管4810A静态功耗非常低，适合用于需要长时间运行的电路，开关速度非常快，能够满足高速电路的需求。

6、IRFZ44N是一种N沟道MOS场效应管，电压等级为55V，电流等级为49A，具有低导通电阻和高开关速度。IRF3205是一种N沟道MOS场效应管，电压等级为55V，电流等级为110A，具有较低的开关电阻和高开关速度。