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请问mim电容和pip电容的区别是什么
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2、Q值不同：MOM 电容比MIM电容的Q值大。形成不同：（1）、MOM是使用用来连线的metal自然形成的，可以多层stack插指形成。（2）、MIM一般用两层位于TOP metal和Mn-1之间的薄铝或者用一层薄铝和Mn-1形成电容。
3、MOS电容和MIM电容都是属于集成电路工艺制作的小电容，MIM电容结构是“金属-电介质-金属”，容量大些，MOS电容采用CMOS集成工艺。我觉得差别只是制造的工艺不同。
三星电容直流偏压特性
该曲线代表的意思是电容两端如果加入直流电压时，电容值会随着直流电压的上升而降低。电容的直流交流偏置特性曲线描述了电容器在直流（DC）和交流（AC）偏置下的行为。
电容的特性有4个，主要是充电、放电、隔直、通交。 电容的特性有4个，主要是充电、放电、隔直、通交；电容是指容纳电场的能力。
电容，即电容器的特性有三点，如下所示：它具有充放电特性和阻止直流电流通过，允许交流电流通过的能力。在充电和放电过程中，两极板上的电荷有积累过程，也即电压有建立过程，因此，电容器上的电压不能突变。
电容特性如下 ：说电容的四个主要特性：充电、放电、隔直、通交；当电容器的两个极板之间加上电压时，电容器就会储存电荷。电容器的电容量在数值上等于一个导电极板上的电荷量与两个极板之间的电压之比。
电感和电容的交直流特性电感在直流点情况下看做短路，电容是开路。交流时是用向量法来做，没短路。Us短路6A作用，Us短路。i11=6A；i21=0A；i31=6A。
MIM电容下为什么不允许放MOS管
隔离直流电流作用。不管被测点有多高直流电压，都不会有直流电流产生。起到直流保护作用。
采用mos管并联电容两端给电容放电的方法不可取，原如是MOS的导通电阻非常小，一般只有几十毫欧至零点几欧姆，这种方法相当于短路放电，极容易烧毁MOS管，尤其是对大容量电容放电，太伤MOS了。
多个mos管并联使用极间电容导通电阻具有正温度系数，具有并联均流的影响。mOS管适合并联使用，还可以降低损耗。但同时，一个或者几个管子坏了，会出现其他管子电流过大的状况。
由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。可以方便地用作恒流源。可以用作电子开关。