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MOS管的功耗计算方法?Mos管发热严重解决方法?MOS管选型?
1、如果MOS管没有完全饱和导通，必须按实际漏极源极的电压和电流计算。额定功率是指使用足够大的散热器所能承受的耗散功率。9W的话，必须加足够的散热器。
2、功率指物体在单位时间内所做的功的多少，即功率为描述做功快慢的物理量。功的数量一定，时间越短，功率值就越大。求功率的公式为功率=功/时间。功耗，功率的损耗，指设备、器件等输入功率和输出功率的差额。
3、驱动芯片的最大电流来自于驱动功率MOS管的消耗，简单的计算公式为：I=cvf，考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，必须想办法降低c、v和f。
4、\x0d\x0a电流太高，没有做好足够的散热设计，MOS管标称的电流值，一般需要较良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。
求高手分析下这个mos管驱动电路的原理,主要讲解下两个电阻的选型
这是一个电机驱动电路，MOS管在这起了一个开关的作用。这是两个N沟道增强型CMOS管，在其栅极施加正电压将形成导电沟道，MOS管的漏-源极呈现低阻状态，相当于开关接通，电机转动。
MOS管栅极电阻的选取可以通过以下步骤进行：确定电路的工作电压 range。确定工作状态下 MOSFET 的最大电流。根据最大电流和工作电压确定 MOSFET 的额定功率。通过选择电阻值来将功耗限制在额定范围内。
MOS管可以作为开关、放大器、稳压器等电路中的关键元件，其作用是控制电流的流动，从而实现电路的控制和调节。MOS管的原理是基于场效应的，即通过控制栅极电场强度，改变半导体中载流子的浓度，从而调节电路的电流。
这个电路有很大的问题。首先负载应该挂在MOS的D极上，而不应该挂在S极上，也就是说：要将负载与MOS管上下换个位置。然后这个电路在MOS管关掉时，gs之间的电路是48V，超过了其最大耐压为20V。
MOS管栅极串联电阻的确定方法：当 Rg 增大时，导通时间延长，损耗发热加剧； Rg 减小时， di/dt 增高，可能产生误导通，使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。
龙腾中高压mos管
还不错。龙腾mos管具有输入阻抗高、开关速度快、驱动功率小、安全工作区宽、温度稳定性好等特点，已广泛应用于开关电源、汽车电子、工业控制等行业领域。
mos管的作用：可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。
高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同 耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。
- IGBT：IGBT是一种绝缘栅双极性晶体管，它结合了MOSFET和双极性晶体管的特性。IGBT有一个绝缘栅极、PN结和双极性晶体管的结构。它适用于中高电压和中频率应用。