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nmos和poms的版图区别
NMOS和PMOS的版图区别在于PMOS要形成P沟道（PNP），所需载流子为空穴，开关速度慢。NMOS要形成N沟道（NPN），所需载流子为电子e，开关速度快。NMOS为N型金属—氧化物—半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。
NMOS是一种N型半导体MOSFET，其主要由N型材料制成。当栅极电压为正电压时，NMOS处于导通状态，栅极电压为负电压时，NMOS处于截止状态。NMOS的栅极电压与源极电压之差（VGS）为正值时，NMOS导通。
pmos和nmos的区别是mos管，分为N沟道和P沟道两种。我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。
由于mobility不一样，同样大小的Pmos和Nmos，Pmos驱动能力要弱。
LTPS TFT中 PMOS也叫PTFT， 源漏端是P型掺杂，栅极下面，也就是沟道中，是N型掺杂。NMOS也叫NTFT，源漏端是N型掺杂，栅极下面，也就是沟道中，是P型掺杂。通常，N型掺杂用的是磷元素，P型掺杂用的是硼元素。
常用的半导体光电元件有哪些？
1、目前半导体元件包括 ： 二极管、三极管、场效应管、晶闸管、达林顿管、LED以及含有半导体管的集成块、芯片等。
2、半导体发光器件是一种将电能转换成光能的器件。它包括发光二极管、红外光源、半导体发光数字管等。1·发光二极管发光二极管的管芯也是一个PN结，并具有单向导电性。
3、光电二级管，光敏电阻，光敏二级管，发光二级管等。符号为：若是感光元件，则在原器件中上部打两个向内的箭头，表示吸光的意思。若是发光元件，则在原器件中上部打两个向外的箭头，表示发光的意思。
4、锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。半导体具有一些特殊性质。
5、基本的半导体器件主要有以下几种：pn结二极管，金属氧化物场效应晶体管（MOS），双极晶体管（BJT），结型场效应晶体管。pn结二极管结构：其中pn结二极管由n型半导体和p型半导体接触产生。
电脑主板的MOS管是什么在哪个位置
1、mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。
2、MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。
3、MOS管是主板电源用的功率管，耗热大，CPU、主板超频工作时主板的电流比正常时大多了，电源的MOS管自然耗热更大，超频爱好者就加散热片来给MOS管降温。
MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图
1、MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图现代单片机主要是采用CMOS工艺制成的。MOS管MOS管又分为两种类型：N型和P型。
2、MOS管的工作原理可以用下图所示的电路来解释：图中的R1和R2分别表示MOS管的基极和漏极。当控制电压Vc较低时，MOS管的通道内的电流较小，导致电流I从输入端流向输出端的电阻R3，最终流入漏极。
3、CMOS门电路一般是由MOS管构成，由于MOS管的栅极和其它各极间有绝缘层相隔，在直流状态下，栅极无电流，所以静态时栅极不取电流，输入电平与外接电阻无关。
版图设计中mos管如何拆分
G（Gate，栅极）：这是MOS管的控制引脚。通过在栅极上施加电压，你可以控制MOSFET的通道的导电性，从而打开或关闭它。改变栅极电压可以控制MOSFET的导通与截止。
避免芯片中的noise对关键信号的影响，在关键信号的周围加上dummy routing layer后者dummy元器件。
判定栅极G：将万用表拨至R×1k档，用万用表的负极任意接一电极，另一只表笔依次去接触其余的两个极，测其电阻。若两次测得的电阻值近似相等，则负表笔所接触的为栅极，另外两电极为漏极和源极。
后来，发展了在同一个芯片上做两种不同类型 MOS管的工艺，叫做CMOS工艺，现在已是半导体行业的主流工艺。
选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极 电压。
因此在整个设计流程中应当注意以下几个应用方法，确保MOS管的稳定性。1？低压的应用。在使用低压电源过程中，如果这时候使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有3V。