mos管可变电阻区（mos管可变电阻区公式）

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1、饱和区域。在饱和区域，mos管的输出电压基本上保持不变，而输出电流基本上由负载电阻决定，mos管的输入电压对输出电压和电流的影响较小，因此它被广泛用于放大器、开关和逻辑门等数字电路中。

2、数电中，MOS管相当于开关，工作于可变电阻区或截止区：其工作于可变电阻区时，相当于开关闭合，其工作于截止区时，相当于开关断开。

3、可调电阻区（或称非饱和区）；饱和区；击穿区。

）可变电阻区（也称非饱和区）满足Ucs》Ucs（th）（开启电压），uDs《UGs-Ucs（th），为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。在该区域UDs值较小，沟道电阻基本上仅受UGs控制。

N沟道增加型MOSFET管沟道产生的条件为：VGS 大于等于 VT 可变电阻区与饱和区的界线为 VDS= VGS-VT。在可变电阻区内：VGS =VT， VDS = VGS-VT。在饱和区内：VGS=VT， VDS = VGS-VT。

只要Ugs大于开启电压，就会在漏极D与源极S间产生导电沟，并且随着Ugs电压增加导电沟变宽，D、S极电阻将越小，当Ugs小于开启电压时，导电沟消失。D、S极阻值变大关断。

mos管可变电阻区（mos管可变电阻区公式）

数电中，MOS管相当于开关，工作于可变电阻区或截止区：其工作于可变电阻区时，相当于开关闭合，其工作于截止区时，相当于开关断开。

MOS管的三个区：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区（对应三极管的截止区），还有一个击穿区（对应三极管的击穿区，属于电力电子内容）。

MOS管的4个工作区，你说的不是很确切。应该是可变电阻区，饱和区，击穿区，夹断区。开关状态工作在可变电阻区（此区相当于饱和导通）和夹断区（此区相当于截止）。放大状态工作在饱和区。

判断mos工作在放大区，饱和区，截止区，击穿区。

mos管分为截止线性饱和区三个状态 mos管的线性区就是可变电阻区，其阻抗与栅压成反比；mos管的饱和区是放大区，其电流电压曲线如三极管的放大区。

输出特性曲线中，场管的工作区域分成了三个部分：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区，也叫截止区（对应三极管的截止区）。

UDSUGSUGSth时，恒流区相当于三极管放大区你现在可以计算一下UDS=8VUGSUGSth=2V，所以明显是属于恒流区，此时对于每个UGS，都有一个iD与它对应，MOS管可视为电压UGS控制的恒流源你可以参考童诗白。

在该区域UDs值较小，沟道电阻基本上仅受UGs控制。当uGs一定时，ip与uDs成线性关系，该区域近似为一组直线。这时场效管D、S间相当于一个受电压UGS控制的可变电阻。

MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。NPN三极管也一样，如果偏压小于阈值电压，也相当于两个背靠背的二极管，不导通。

由于MOS管的输入电阻很大（约1015欧姆），故对负载电流变化不敏感，即无论有无外加电源电压变化均保持截止状态不变（即开路）。