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mos寄生二极管是肖特基吗
1、当MOS有很大的反向瞬间电流时，该二极管导通，起到保护作用。肖特基二极管 肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。
2、肖特基二极管是二极管，特点是低功耗、超高速、反向恢复时间极短、正向压降小，适合做整流电路，场效应管是三极管一，特点是输入阻抗高、噪声小、功耗低、漏电流小，开关特性好，适合做放大电路或开关电路。
3、肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别，通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属／半导管整流管叫作肖特基整流管。
谁能帮忙解释一下这个电机驱动电路,里边的电容和二级管是干吗用的
电容：滤波、去耦、信号耦合；二极管：检波、整流、稳压。
一般电机上常见到使用电容的场合，是单相电机的启动，这种电容也叫启动电容，从电路原理上看，它是起到了移相的作用。
朋友，电容器在电动机电路中为启动电容器，主要是起到裂相启动也就是利用电容器和线圈本身的性质，使电动机启动线圈和运行线圈在空间上有一个90度的电角度，从而旋转工作。
锂电池串二极管降压
简单的做法是把输出跟充电端子分开，充电用原来的线路，输出端再串联一个二极管。如果输出只有两条线的限制，可以用两个二极管反并联接在电路上。
二极管降压，如果电池电压与用电器要求得到的电压在0.7V左右，可以直接在电池与用电器之间串一只整流二极管即可，电流在1A以内，可以选择1N400系列即可，大于1A，可以选择1N540系列。
具我所知，普通硅二极管的正向压降是0.6v左右，12v-9v=3v，为安全起见，建议串联5个二极管。
串二极管，一个4007压降0.7V，两个4V，三个1V，只需要串联三个就可以把7V降到5V了。
买两只二极管，串联在电池回路中就行。二极管在允许工作范围内，无论电流大小，两端压降都是0.6V左右。两只串联正好降压1V多。
正向串联两只1N4001二极管，尽量找正向导通压降小的，一般硅整流二极管正向压降在0.45~0.5伏左右。
亚阈区mos管相当于二极管
MOS管的定义：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， MOSFET）。其属于半导体主动元件中的分立器件，能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。
mos管栅源短接相当于二极管接法，它的名字叫二极管接法，但是并不是像二极管一样具有整流特性，它具有的特性只是二极管正向导通时候的样子，就表现出一个小电阻似的小信号特性。
mos管作为二极管原理MOS管，即金属-氧化物-半导体管，是一种三极管。它由一层金属-氧化物-半导体材料组成的沟道结构。这种结构使得MOS管具有高阻断电压、低漏电流、高电流增益等优点。MOS管主要分为两类：nMOS和pMOS。
常说的5vmos管指的是什么电压是5v
1、MOSFET开启电压5V的话，需要栅极电压高于源级电压5V才能导通，就是说如果源级电压是12V，栅极电压要12+5=17V才能导通。这个说的对。
2、是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。
3、MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。
4、pmos管的vgs同样也有正和负。mos管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高vds的耐压承受力。比如说+12v是开启mos，-5v是关闭mos。
5、mosfet实际常用的正驱动电压是Vgs一般为12~15V，低于20V，负栅压不超过5V。因为正驱动电压不能太大，具体还要根据实际情况来，如果是Si mosfet建议15V以上，Sic mosfet驱动电压一般要高于Si的。