本文目录一览：
- 1、...可以作为开关电源的开关,那么为什么还要用mos管?
- 2、mos管温度和电池温度
- 3、请教关于MOS管的温度特性曲线问题
- 4、详解功率MOS管的每一个参数
- 5、龙腾中高压mos管
- 6、ASEMI场效应管7N60的极限和静态参数详解
...可以作为开关电源的开关,那么为什么还要用mos管?
近几年来平板电视机的开关电源大都采用大功率MOS管作为开关管，之所以采用MOS管是基于以下几方面的优势：输入阻抗高。输入阻抗之高，是普通大功率三极管无法比拟。
可以用作可变电阻。可以方便地用作恒流源。可以用作电子开关。MOS管为压控元件，只要加到它的压控元件所需电压就能使它导通，它的导通就像三极管在饱和状态一样，导通结的压降最小，常说的精典是开关作用。
MOS管可以作为开关、放大器、稳压器等电路中的关键元件，其作用是控制电流的流动，从而实现电路的控制和调节。MOS管的原理是基于场效应的，即通过控制栅极电场强度，改变半导体中载流子的浓度，从而调节电路的电流。
用MOS管做电源驱动管，只需要一个驱动电压信号就能控制很大的电源电流（几安培到几十安培），控制很方便的；如果用三极管，需要有几级推动电路，把控制电流逐步加大，还得考虑三极管的放大倍数，很繁琐。
MOS管作用：用途广泛，包括电视机高频头（高频，小电流）到开关电源（高压大电流），现在把MOS和双极型（普通三极管）复合在一起（IGBT，绝缘栅双极型晶体管），广泛应用于大功率领域。
mos管是电压控制元件，在某些方面使用起来很方便，当然，在开关电路中，由于mos管的导通电阻很小，所以使用也非常好，在开关电路中应用，就是一个能够受控制的开关，一般是受电压信号的控制。
mos管温度和电池温度
1、主要是MOS的电压，电流与温度。当然就是牵扯到MOS管的选型了。MOS的耐压当然要超过电池组的电压，这是必须的。电流讲的是在通过额定电流时MOS管体上的温升了一般不超过25度的温升，个人经验值，只供参考。
2、摄氏度以内。凌博控制器mos管温度在80摄氏度以内算正常，Mos管温度过高会影响其工作性能和寿命，若温度过高会导致mos管损坏或失效，甚至引发火灾等安全事故，因此，mos管的工作温度需要在一定范围内工作。
3、指的是mos管的封装外壳的温度。mos管的结温是指mos管内部pn结的温度，也就是芯片的温度。而壳温是指mos管外部的温度。这个温度在一定程度上反映了mos管的工作状态和散热效果。
4、摄氏度。mos管封主要有2种，一种是双列直插塑封，另一种为双列直插陶瓷封装，mos管封装塑料的表面温度最高为70度摄氏度。mos管，全称金属氧化物半导体场效应管，结构分为源极、漏极、栅极三部分。
5、彦阳保护板放电mos温度多少？放电温度：-40~+55℃。
6、电阻。根据信息查询得到，处于饱和区的时候，mos管的沟道电阻为正温度系数，温度越高电阻越大，所以MOS管电流随温度下降。VGS电压一定时，温度越高，所流过的电流越大，温度和电流形成正反馈。
请教关于MOS管的温度特性曲线问题
1、MOS管的输入不叫输入特性曲线，而是叫转移特性曲线，意思是当漏源电压UDS为常数时，漏极电流iD与栅源电压uGS之间的函数关系。
2、这个肯定是已知的 就是你的供电电压 vcc 我猜你这个应该是vds 是10到12v 我们看图上 当vds=10v的时候 只有当 ugs 约大于9v之后，交点才在mos管的可变电阻区（饱和区） 所以说 要9v以上 才能让管子完全导通。
3、主要是MOS的电压，电流与温度。当然就是牵扯到MOS管的选型了。MOS的耐压当然要超过电池组的电压，这是必须的。电流讲的是在通过额定电流时MOS管体上的温升了一般不超过25度的温升，个人经验值，只供参考。
4、这些特性使得耗尽型MOS管在实际应用中，当设备开机时可能会误触发MOS管，导致整机失效；不易被控制，使得其应用极少。 因此，日常我们看到的NMOS、PMOS多为增强型MOS管；其中，PMOS可以很方便地用作高端驱动。
5、功率场效应管是电压控制器件，如果驱动电压不够，导通时流过的饱和电流越大、压降也会上升，并且与温度成正比（在电源里可防磁饱和），驱动电压足够时、导通压降一般会比三极管高，开关频率速度较快（因结电容小）。
详解功率MOS管的每一个参数
1、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
2、选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。
3、电压， Vgs 最大：20V；开态电阻， Rds(on)：典型值 0.48Ω （Vgs=10V，Id=3A）；电压最高：400V；功耗：5W；封装类型：TO 220；针脚数：3；晶体管类型：MOSFET；满功率温度：25°C。
4、负载电流IL ——它直接决定于MOSFET的输出能力；输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制；开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率； MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标。
龙腾中高压mos管
1、还不错。龙腾mos管具有输入阻抗高、开关速度快、驱动功率小、安全工作区宽、温度稳定性好等特点，已广泛应用于开关电源、汽车电子、工业控制等行业领域。
2、mos管的作用：可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。
3、MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）在内部短路时，主要表现为源极和漏极间的电阻降低，电压几乎为0。这种现象通常是由于超过MOS管额定压力、温度或电流等工作条件引起的。
4、高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同 耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。
5、不可以。耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢，所以mos管耐压高不可以代替耐压低。MOS是MOSFET的缩写，即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管，属于绝缘栅型。
ASEMI场效应管7N60的极限和静态参数详解
1、①、关于以上那8N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：8A//T0-220封装//。②、7N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：7A//T0-220封装//。
2、N60-ASEMI的最大漏源电流为5A，而漏源击穿电压为600V。这种型号的二极管是一种N型场效应管，其具有较高的开关速度、低正向电阻以及高可靠性。此外，它也能够承受较大的电流，并且具有很好的耐久性。
3、最多600V。场效应管是利用电场效应来控制半导体中电流的一种半导体器件，故因此而得名。场效应管是一种电压控制器件，只依靠一种载流子参与导电，故又称为单极型晶体管。
4、不使用管子时，所有引线也应短接。下面给大家介绍一下ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法。测量时要格外小心，并采取相应的防静电措施。
5、P75NF75属于晶体管类别，参数是：电流75A 耐压75V，采用TO220形式封装。大部分场效应管的命名都有规律，前面数字代表电流，后面数字代表电压。