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MOS管漏极漏电流是多少
漏极电流（ID）是MOS管中的电子流，取决于沟道的尺寸（W 和 L）以及施加在栅极和源极之间的电压（VGS）。μn 是材料特性，表示电子在半导体中移动的速度。它是MOS管材料的属性，通常在数据手册中提供。
MOSFETS饱和时候的漏极电流公式：I=(1/2)UnCox（W/L）*（Vgs-Vth）式中：Un：为电子的迁移速率。Cox：为单位面积栅氧化层电容。W/L：氧化层宽长比。Vgs-Vth：为过驱动电压。
可以看到，共源放大器的电压增益(约 21dB，13倍)与共射放大器的电压增益的(约44dB，149倍)之差距，比漏极(集电极)偏置电流小的时候更大(低得更多)。这基本验证了之前的预言。接着，来估计MOS 管的跨导。
以专业做高压MOS的日本富士（FUJI）来作参照。ID最大100，ID（pulse）最大400。型号是2SK3883-01。以专业做低压高电流的IR品牌作参照。ID在25摄氏度最大的是522，型号IRFS7430-7P。
mos管的最大持续电流是如何确定的?
1、确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。
2、MOS管的的最大允许电流是靠设计参数来确定的，使用电气参数测量方法无法确定，不过可以使用测量导通电阻方法估算，大约是V/导通电阻，V是参考压降，取值0.8-3，高压管取值大些，低压管取值小些。
3、确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。
4、参考器件手册，MOS管的使用，散热条件很重要！要大的散热器帮助散热！DS接一个大功率的负载电阻(有可调的)，然后试着调整！但一般不这样做。
5、A。MOS管承受电流6到9A最大不会超过20A。三极管最大特点是输入阻抗高。作为放大电路或者担任功率放大也可以。
6、Ig：MOS栅极驱动电流；Vb：稳态栅极驱动电压；第三种：以IR的IRF640为例，看DATASHEET里有条Total Gate Charge曲线。该曲线先上升然后几乎水平再上升。
详解功率MOS管的每一个参数
1、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
2、选用合适的输入电压规格；选择合适的功率。为了使电源的寿命增长，建议选用多30%输出功率额定的机种。例如若系统需要一个100W的电源，则建议挑选大于130W输出功率额定的机种，以此类推可有效提升电源的寿命。
3、电压， Vgs 最大：20V；开态电阻， Rds(on)：典型值 0.48Ω （Vgs=10V，Id=3A）；电压最高：400V；功耗：5W；封装类型：TO 220；针脚数：3；晶体管类型：MOSFET；满功率温度：25°C。