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什么是集成电路的bcd工艺
是一种单片集成工艺技术。1986年由意法半导体（ST）公司率先研制成功，这种技术能够在同一芯片上制作双极管bipolar，CMOS和DMOS 器件，称为BCD工艺。
制造方式区别：BCD工艺是一种单片集成工艺技术，能够将双极Bipolar器件、CMOS器件和DMOS功率晶体管同时制作在同一芯片上。CMOS工艺是在PMOS和NMOS基础上发展起来的，使用的是SOI(SilicononInsulator)或BulkCMOS等技术进行制造。
BCD工艺是从双极型、CMOS和DMOS三种基础工艺中提取出的一部分，而CMOS工艺则是指使用互补金属氧化物半导体技术制造的集成电路。
效果不同。BCD工艺是集成了Bipolar、CMOS和DMOS器件，综合了高速、强负载驱动能力、集成度高的特点，比普通工艺具有更高的功率和密度。
BCD工艺，主要是三种工艺结合到一起的芯片制造工艺，只能有三层金属，能够方便使得模拟芯片与控制芯片得以合二为一。BCD是一种复杂的硅芯片制造工艺，每种BCD工艺都具备在同一颗芯片上成功整合三种不同制造技术的优点。
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bcd工艺与cmos工艺的区别
制造方式区别：BCD工艺是一种单片集成工艺技术，能够将双极Bipolar器件、CMOS器件和DMOS功率晶体管同时制作在同一芯片上。CMOS工艺是在PMOS和NMOS基础上发展起来的，使用的是SOI(SilicononInsulator)或BulkCMOS等技术进行制造。
含义不同，效果不同。含义不同：bcd是比较成熟的成像器件，ccmos被看作未来的成像器件。效果不同：BCD工艺综合了高速、强负载驱动能力、集成度高的特点，cmos工艺一直遵循Moore定律向更小线宽、更快的速度发展方向。
CCD和CMOS的区别：含义不同，制造不同。含义不同：CCD是目前比较成熟的成像器件，CMOS被看作未来的成像器件。
第一，出现时间区别：CCD早于CMOS出现。CCD传感器最早出现在1990s时期，而CMOS传感器则是2000年前后才出现，并在之后逐步在民用消费级产品领域取代CCD成为主流。 第二，画质差别：CCD的画质优于CMOS。这源于二者工艺的不同。
效果不同。BCD工艺是集成了Bipolar、CMOS和DMOS器件，综合了高速、强负载驱动能力、集成度高的特点，比普通工艺具有更高的功率和密度。