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mos管怎么在负极作开关
※ uGS＞开启电压UT：MOS管工作在导通区，漏源电流iDS=UDD/(RD+rDS)。其中，rDS为MOS管导通时的漏源电阻。输出电压UDS=UDD·rDS/(RD+rDS)，如果rDS＜＜RD，则uDS≈0V，MOS管处于接通状态。
因此，在使用MOSFET作为开关时，我们可以通过控制控制极上的电压来控制MOSFET的开关状态。
一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通，但是为了考虑可靠性，往往是加上一个电阻，接到12V左右，这是我们常用的。如图我们产品中的一个图，是电机驱动，用的就是MOS的开关特性。
一般2V～4V就可以了。P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为8V，G为8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为8V。
在图一，是个Nmos，只能S极接地。因为通过Vgs的电压来开关mos。S极接地则S极的电势是0V。只需控制G极，即Vin1来控制这个Nmos。Vin1是高电平，则mos打开，Vin1是低电平，则mos关断。
你电路的问题很明显，要了解原理，请参考以下电路：带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。
说明mos晶体管包含哪些电容及其物理含义
首先考察一个更简单的器件——MOS电容——能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon（外在硅），他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。
mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，它们都是在P型backgate中形成的N型区。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。
MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。
MOS管即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应晶体管中的绝缘栅型。因此，MOS管有时被称为场效应管。在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。MOS管的特性 开关特性。
电路分析MOS管的小信号模型等效电路,请问为什么不把后面的电阻也算进来...
小信号模型，是基于输入的信号很小、电路元件参数基本不变，这样非线性电路转化为线性电路，如三极管可以等效为一个受控电流源。因为信号变化量微小，所以有的教材也成为“微变等效电路”。
解：你的理解有误，输入电阻中已经考虑了Re和 Rc的值。最终：Ri=Rb1∥Rb2∥Ri。其中，Ri=rbe+（1+β）RL。在其中，RL=Re∥Rc。
一般电路的晶体管数目较少，例如最基本的单管放大电路不采用有源负载的话只有一个晶体管。
V与MOS管连接的那里，直接连接就行了，它需要一直为3V，加个电阻还多余了。具体的原理，可以看下这篇文章，链接在这里。完整的MOS管双向电平转换电路见下图，常用在i2c电平转换上。