1n60二极管的简单介绍

本文目录一览：

N60是肖特基二极管，30mA 40V DO-35封装。

二极管型号1N400是一个日本标准的系列号，例如1N4001参数是50伏1安培，1N4002 参数是100伏1安培 ···1N4007参数是1000伏1安培。也就是说，1N400系列是一个整流电流为1安培、反向耐压从50伏到1000伏的一系列整流管型号。

N5819是个肖特基势垒二极管，它的主要参数是40V 1A. VFmax=0.6V@1A.1N60也是个肖特基势垒二极管，它的主要参数是40V 0.3A. VFmax=0V@0.2A.总的说来1N60的电流能力小些，正向压降也大些。

一般在0.1-0.3V左右，但锗管的缺点也是很大的，如反向漏电流大，允许结温低。目前，锗管基本已没有使用。也不建议使用。硅管可以在预加偏压的基础上实现低导通电压。锗管主要用于上世纪80年代的分立件收音机中。

1n60二极管的简单介绍

1、需要注意的是二极管不同型号对应不同参数和不同的封装，常见型号的如1N4001~1N4007常用于桥式整流电路，电流大，响应速度相对高频器件较慢。通过查询相关数据手册结合通过计算得出的正向电流，反相电压等参数进行选择。

2、锗二极管（DO-7玻璃封装）：\x0d\x0a\x0d\x0a1N60P（2-1K60）VR：40V，Cj：1pF；\x0d\x0a\x0d\x0a1N60（1K60）VR：40V，Cj：1pF；\x0d\x0a\x0d\x0a1N34A（1K34A）VR：40V，Cj：1pF。

3、B是锗晶体管，D是硅晶体管，主要区别在于死区电压，0.3伏和0.7伏。参考资料：二极管的命名法则；硅晶体管和锗晶体管的主要区别。

4、如果一定非用它，有两种办法，一是其它参数相近的型号代用，二是自己造一个锗二极管。方法一：肖特基二极管SD41的正向压降小于0.2V，可以用它来代替2AP12进行仿真。

1、mos容易坏，换成其他的也容易坏，环境的因素无法改变，换质量好一点的不就行了。

2、不能代换。 K15J50D 场效应管，主要参数是15A/ 500V ，电焊机常用场效应管。11N60场效应管，主要参数是11A/600V，常用于液晶电视开关电源。两个型号耐压不同，不能代换。而且外形大小不同，代换比较麻烦。

3、这两种封装样式的MOS管外观差不多，可以互换使用，不过TO-220背部有散热片，其散热效果比TO-220F要好些，价格相对也要贵些。这两个封装产品适于中压大电流120A以下、高压大电流20A以下的场合应用。

4、n60是现在常用的n沟道场效应三极管，其漏极电流id为1a，耐压值为600v。

AP10 5 30 100 所以除2AP2AP9之外，其它的可替代，另外2AP71等也可用。

N60。经查询multisim的产品配置参数显示，multisim配置的二极管型号是1N60。Multisim是美国国家仪器（NI）有限公司推出的以Windows为基础的仿真工具，适用于板级的模拟/数字电路板的设计工作。

直接用TDA2030或者LM1875做好了，仿真也用TDA2030。具体如下：这个电路取自于TDA2030的技术手册(pdf，英文格式)。你在输入端加一个电位器，这个可以调节音量。1N4001可以用1N4007代替。

没有事，我给你再找一下。可以用2N2369/KTV，2N2369TPT，3DA89，3DG84B。代替。

multisim12仿真提示有错，是设置错误造成的，解决方法如下：首先打开multisim软件，点击MCU图标放置单片机元件。选择单片机类型，支持805X和PIC类型，还提供RAM、ROM使用。