二极管温度特性（二极管温度特性）

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温度升高时，二极管的反向特性曲线之所以下移，表示是反向电流的增大，这有别于正向电流增大。从垂直坐标上可看作绝对值的增加，但却是反方向的增加。

温度特性：二极管的电流与温度有关。一般来说，随着温度的升高，二极管的电流会增加。击穿特性：当反向电压超过一定值时，二极管会被击穿，电流会急剧增加。频率特性：二极管的频率响应相对较差，对于高频信号的响应会受到限制。

发光二极管的温度特性耐高温。发光二极管工作温度为-30-80℃，发光二极管耐高温80°c。在安全的操作环境下，达到10万小时的寿命，即便是在50度以上的高温，使用寿命还有约4万小时。

温度升高时，扩散运动加强，多数载流子运动加剧，正向电流增大，二极管正向特性曲线向左移动，导通压降减小。如果外加的是反向电压，温度升高时，本征激发的少子数目增多，运动加剧，则反向漂移电流增大，反向特性曲线向下移动。

暗光流ID和光电流IL产生影响。温度特性：温度对光敏三极管的暗光流ID和光电流IL都会产生影响。光敏二极管的暗电流随温度变化而变化，如硅光敏二极管的IB值，在环境温度升高30-40℃时将增大10倍。

反向电流又被称为反向饱和电流或是漏电流，二极管的特性中反向饱和电流受温度影响较大。一般二极管内部的硅管反向电流比锗管要小很多，小功率二极管硅管反向饱和电流在nA数量级。

二极管温度特性（二极管温度特性）

1、增加。由少数载流子的漂移运动形成的，同时少数载流子是由本征激发产生的（当温度升高时，本征激发加强，漂移运动的载流子数量增加），当管子制成后，其数值决定于温度，而几乎与外加电压无关。

2、二极管的正向电压将减小，反向饱和电流将增大。在环境温度升高时，正向特性曲线将左移，反向特性曲线将下移。在室温附近，温度每升高1℃，正向压降减小2~5mV，温度每升高10℃，反向电流约增大一倍。

3、饱和时，反向电压增大，饱和电流不会增大，电压大下去就击穿了温度对二极管的工作状态影响很大。温度升高，有利于少数载流子的漂移运动。反向饱和电流会增大，但还是和电压没什么大关系。

4、很明显的，20℃提高10℃后是30℃，反向饱和电流比20℃时增加一倍，也就是10微安；30℃后再提高10℃，其反向饱和电流比30℃时再增大一倍，也就是20微安。这是指数关系。

5、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的少数载流子浓度增大。

6、温度升高时二极管的正向压降和反向电流都会增大二极管是温度的敏感器件温度的变化对其伏安特性的影响主要表现为随着温度的升高，其正向特性曲线左移，即正向压降减小反向特性曲线下移，即反向电流增大。

光敏二极管，实际上就是一个光敏电阻，它对光的变化非常敏感。光敏二极管的管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。

③温度特性：温度对光敏三极管的暗光流ID和光电流IL都会产生影响。④伏安特性：光敏三极管的伏安特性是指：在给定光照度下，光敏三极管上的电压与光流IL之间的关系。

当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（）。

如果外加的是正向电压，温度升高时，扩散运动加强，多数载流子运动加剧，正向电流增大，二极管正向特性曲线向左移动，导通压降减小。

二极管的正向电压将减小，反向饱和电流将增大。在环境温度升高时，正向特性曲线将左移，反向特性曲线将下移。在室温附近，温度每升高1℃，正向压降减小2~5mV，温度每升高10℃，反向电流约增大一倍。

二极管反向击穿又分为电击穿和热击穿，利用电击穿可制成稳压管，而热击穿将引起电路故障，使用时一定要注意避免二极管发生反向热击穿的现象。二极管的特性对温度很敏感。

1、不一定。看管子的，看输出特性曲线就知道了。NJFET在恒流区有这个性质，UGS一定是负值且，UDS是正值。但耗尽型NMOS在UGS为正、负、0的情况下都能工作，后两种可以说UDS一定大于UGS，但第一种情况下未必。

2、栅源电压大于0：n沟道耗尽型mos管恒流区栅极上需要施加正向偏压，当栅源电压大于0时，栅极与源极之间的绝缘层中的电子空穴对被击穿，形成导电沟道。

3、G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

4、B：在截止区 C：在截止区 D：可能在恒流区场效应管要想工作在恒流区，管子必须处于导通状态，且栅源极之间的电压Ugs必须恒定。B和C选项这一类管子，栅极电位必须高出源极的电位一定值（超过开启电压），否则无法导通。

5、这是个自给偏置的电路结构，所以栅极电压确定了，那么源极电压也就确定了；另外BSS169为N沟道耗尽型场效应管，在 Ugs=0V，即具有导通能力，也就是说，Ug=5V时，Us=5V。

6、因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS管两个一组出现在主板上。

1、导电特性，二极管最重要的特性就是单方向导电性。正向特性，在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。

2、二极管具有半导体特性、单向导电性、正向压降、反向击穿电压和小信号放大等特性。二极管是一种半导体器件，具有导电性介于导体和绝缘体之间。

3、二极管具有单向导电性能，导通时电流方向是由阳极通过管子流向阴极。二极管有两个电极，正极，又叫阳极；负极，又叫阴极，给二极管两极间加上正向电压时，二极管导通，加上反向电压时，二极管截止。