可控硅模块保护电路（可控硅模块内部结构）

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用MFC可控硅模块控制交流的应用很广泛，单结晶体管交流调压电路就是一种典型的交流调压电路。

可控硅的4种触发方式：强电触发：采用MOC306MOC3021等高压光耦，从可控硅的A极引入触发电压，这种触发不需要其他触发电源，电路非常简单，主要元器件工作在400V强脉冲环境，可靠性最差。

强电触发：采用MOC306MOC3021等高压光耦，从可控硅的A极引入触发电压，这种触发不需要其他触发电源，电路非常简单，主要元器件工作在400V强脉冲环境，可靠性最差。采用触发二极管电路与这种结构相似。

可控硅有A，K，G三脚，当AK间加上交流电，在KG之间加一触发信号，单向可控硅在交流半波（10毫秒内）任意时间起加触发，其信号可很短，（例如10微秒的脉冲）可控硅导通。

需要可控硅触发板：4-20mA是电流模拟信号，这个模块里有两个单向可控硅，用到交流里调压要两个可控硅反并联使用，每个可控硅分别控制交流电的正半周与负半周，所以两个可控硅都要触发。

可控硅模块保护电路（可控硅模块内部结构）

1、于回路中存在有电感，因此，可控硅整流元件在换相时，被关断的可控硅元件在换相结束瞬间，其反向电流的突然关断，在阳极回路电感上产生反电势而形成的。

2、过电压保护过电压可能导致晶闸管的击穿，其主要原因是由于电路中电感元件的通断、熔断器熔断或晶闸管在导通与截止间的转换。

3、过载电流：电气回路因所接用电设备过多或所供设备过载（例如所接电动机的机械负载过大）等原因而过载。短路电流：当回路绝缘因种种原因（包括过载）损坏，电位不相等的导体经阻抗可忽略不计的故障点而导通。

1、控制电路的电子保护一般在检测到异常时进行过流过压过载等保护；主电路的过流保护一般采用串联快速熔断器，过压保护采用并联压敏电阻。电压上升率保护采取并联阻容吸收电路。

2、分为控制电路的电子保护和主电路保护主电路保护常见得有：电流保护和电压保护以及电压上升率保护。控制电路的电子保护一般在检测到异常时进行过流过压过载等保护。

3、可控硅对电压非常敏感，稍一过压就可能烧毁，所以需要加过电压保护。

4、BT139是一款三端双向可控硅，管脚排列顺序是T1-T2-G，如下图所示：双向可控硅属于NPNPN五层器件，三个电极分别是TTG。

5、阻容保护电路出现短路电流的原因：保护电路中的电容耐压太低，被击穿短路。在可控硅的控制电路中，常常在可控硅的两端并联RC串接的保护电路，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。

6、如果负载是感性负载，例如，电动机什么的，有线圈的，在关断时会出现一个电压很高反电动势，容易将可控硅击穿。

双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。

双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。

MCR100-6的管脚排列应该是：将原件的引脚朝下，面对着印有型号的面看，从左至右依次为A、G、K。分别为阳极、控制极、阴极。MCR100-6 单向可控硅特点：先进的玻璃钝化芯片、具有灵敏的控制极触发电流，通态压降低。

单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比，单向可控硅正向导通受控制极电流控制；与具有两个PN结的三极管相比，差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。

单相桥式全控整流电路，即4个可控硅组成桥式整流，可控制前端交流输入，亦可控制直流输出，好比设置了2个阀门，要出电流，必须2个阀门开启。单相桥式半控整流电路，有很多种组成形式。

1、可控硅调压电路的工作原理是，当电压输入变化时，可控硅会调整输出电压，以保持输出电压恒定。可控硅调压电路的结构由可控硅、电容、电阻和电感组成。

2、p4m可控硅的工作原理是，当电流通过一个p型晶体管时，它会使另一个p型晶体管的电流关闭。同时，电流会经过两个n型晶体管，使它们导通。

3、可控硅的工作原理可控硅是一种可以控制电流的半导体器件，它的工作原理是通过控制电压来控制电流。当电压升高时，电流也会增加，当电压降低时，电流也会降低。

4、双向可控硅等效于两只单项可控硅反向并联而成。即其中一只单向硅阳极与另一只阴极相边连，其引出端称T2极，其中一只单向硅阴极与另一只阳极相连，其引出端称T2极，剩下则为控制极（G）。

1、根据被保护电源电压选择压敏电阻器的规定电流下的电压V1mA。

2、压敏电阻的压敏电压（min(U1mA））、通流容量是电路设计时应重点考虑的。在直流回路中，应当有：min(U1mA)≥(8～2)Udc，式中Udc为回路中的直流额定工作电压。

3、推荐你选择39Ω/10W电阻和0.1μf/630V电容。具体RC参数选择，与你的可控硅特性参数及回路要求的关断过冲都有关系。但是一般会有一个大致的范围，来满足要求，确保可控硅不会损坏。

4、第压敏电阻的主要参数有哪些：首先就是它的残压，所谓的残压就是指压敏电阻在通过里面规定的波形大电流的时候在电阻的两端就会出现最高的峰值电压，这个电压就是残压。

5、压敏电阻的型号由四个部分组成，其中第一部分为压敏电阻的主称，第二部分为压敏电阻的类别，第三部分为压敏电阻的用途或者是特征，第四部分为压敏电阻的序号。

6、可控硅的导通的条件：两级有电压，G极有触发信号。两者缺一不可。光耦控制端加1高电平时，光耦导通，两个电阻RR10和光耦形成回路。