二极管反向电阻（二极管反向电阻大概多少）

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1、锗材料二极管的正向电阻值大约为1000Ω，反向电阻值大约为300Ω。二极管的作用有整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路，主要都由二极管来构成的，由于二极管等元件的发明，才有我们现在丰富多彩的电子信息世界的诞生。

2、，用二极管的正极接触红表笔，负极接触黑表笔，这时屏幕上显示的就是二极管的正向电阻值，正常情况下应在500Ω-700Ω左右。

3、通常，锗材料二极管的正向电阻值为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。

4、发光二极管的正向电阻应小于50Ω-80Ω；反向电阻应大于400kΩ。二极管正向电阻的大小还和正向电流的大小相关，当二极管的正向电流在变化时，二极管的正向电阻将随之微小变化，正向电流越大，正向电阻越小，反之则越大。

5、锗二极管的反向电阻约为500~1000k，硅二极管的反向电阻约为几百兆欧。简单来说就是单向传导。电流从一端进入时，电阻为0ω，从另一端进入时，电阻为无穷大(这是理想二极管的特性)。

6、硅高速开关二极管的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量，一般正向电阻值为5K～10K 。快恢复、超快恢复二极管用 R×1k 电阻挡检测，一般正向电阻为45K左右。

二极管正向导通时，它的正向电阻r =（正向压降v）/（正向电流i），其中，正向压降v 在二极管正向导通时基本不变（硅管约0.7v；锗管约0.2v）。所以，它的正向电阻r 不是不变的，它与正向电流i 的大小有关。

外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。

正向电阻要小，反向电阻要大才行，这样正向导电容易，反向电流很小，二极管才好。这是二极管的特性。

简单来说：正向测时，二极管导通，有电压和电流，电阻可知。反向时，二极管关断，有电压，电流为0，所以电阻接近无穷大。

外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。

电子技术里面运用二极管就是利用了二极管的特征，就是具有单向导电性，正向电阻越小，导电能力越好，反向电阻越大，导电能力越弱，故。。电流能通过时称正向，不能通过时称反向。

二极管反向电阻（二极管反向电阻大概多少）

锗二极管的反向电阻约为500~1000k，硅二极管的反向电阻约为几百兆欧。简单来说就是单向传导。电流从一端进入时，电阻为0ω，从另一端进入时，电阻为无穷大(这是理想二极管的特性)。

理想二极管是一种理想的半导体器件，它只允许电流单向流动，而阻止电流反向流动。因此，理想二极管的反向电阻被认为是无穷大。

理想二极管的反向电阻为无穷大。理想二极管就是正向压降为0，反向漏电流为0的二极管，这种二极管只存在于理论研究中；理想二极管是一种假设，根据题目要求假设，如为没有压降，没有损耗，反向不会击穿等理想状态。

二极管的正反向电阻根据材料有所不同，有大有小但一般来说反向电阻的阻值都会在300kΩ~无穷大，而一般正向电阻则会比反向电阻小100倍以上。例如：小功率锗二极管的正向电阻为300Ω～500Ω，硅工极管为lkΩ或更大些。

测量一下反向电阻就行，如果很小，就说明这个二极管是坏的，反向电阻如果很大，这就说明这个二极管是好的。对于这样的基础元件我们应牢牢掌握住他的作用原理以及基本电路，这样才能为以后的电子技术学习打下良好的基础。

锗材料二极管的正向电阻值大约为1000Ω，反向电阻值大约为300Ω。二极管的作用有整流电路，检波电路，稳压电路，各种调制电路，主要都由二极管来构成的，由于二极管等元件的发明，才有我们现在丰富多彩的电子信息世界的诞生。

其阻值是不固定的，在一般的检测中，锗材料二极管的正向电阻值约为1kΩ左右，反向电阻值为300左右。硅材料二极管的电阻值为5 kΩ左右，反向电阻值为∞（无穷大）。在实际电路中，不同的电压下会有不同的阻值。

，用二极管的正极接触红表笔，负极接触黑表笔，这时屏幕上显示的就是二极管的正向电阻值，正常情况下应在500Ω-700Ω左右。

发光二极管的正向电阻应小于50Ω-80Ω；反向电阻应大于400kΩ。二极管正向电阻的大小还和正向电流的大小相关，当二极管的正向电流在变化时，二极管的正向电阻将随之微小变化，正向电流越大，正向电阻越小，反之则越大。

硅高速开关二极管的正向电阻较大。用R×1k电阻挡测量，一般正向电阻值为5K～10K 。快恢复、超快恢复二极管用 R×1k 电阻挡检测，一般正向电阻为45K左右。