三极管导通压降的简单介绍

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因为三极管饱和导通时三极管的βIb大于实际Ic（βIbIc），因此集电极电流Ic的大小取决于外电路电源电压Ucc除以电路负载电阻RL，即Ic≈Ucc/RL，三极管饱和导通时的压降硅管0.7V，锗管0.3V。三极管的饱和电流。

晶体管的饱和压降与其导电类型无关，主要是与材料相关。三极管的饱和导通时集电极电流已不再随基极电流增大而变化。集电极电流基本上取决于负载电阻的大小。根据三极管的饱和深度不同，管压降也不是一个定值。

饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。

深度饱和时，发射结正偏，集电结也正偏，但此时Uce并不为0，一般最小在0.3V左右，即饱和管压降。

截止状态时满足0Ub-Ue0.2或0.0.7(NPN，PNP反过来)，也或Ub-Ue不限制，但Ue=0（PNP）&Uc=0（NPN）；饱和状态时，Ue&Uc满足工作要求，Ub-Ue管压降（0.2/0.5/0.7）同时导通电流在Ic允许范围内。

饱和压降就是三极管当前的基级电流大于基级最大饱和电流，此时我们称判断电路处于饱和状态。具体判断方法如下：在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。

三极管导通压降的简单介绍

功率三极管的饱和导通电压比较小，大功率管的uces在1-3v。功率场效应的饱和导通电压要稍大，通常udss在5v以上。

功耗大小不一样。场效应管发展很快，现在的低压场效应管的导通电阻可以做到2毫欧晶体管的导通压降在0.2-0.3V，所以开关电源常用。驱动更便捷。在不要求速度的条件下，场效应管的驱动简单（电压型）。

大功率场效应管导通后，特性为纯阻性。普通三极管饱和导通时几乎是直通的，有一个很低的压降，称为饱和压降。

三极管在饱和时，集电极与发射极间的饱和电压(UCES)很小，根据三极管输出电压与输出电流关系式UCE=EC-ICRC，所以IBS=ICS/β=EC-UCES/β≈EC/βRC。

它们在开关电源内部所起作用相同，只是两种管子的驱动条件不同，晶体管的基极需要电流驱动。场效应管的栅极需要电压驱动。具体应用需要查阅相关手册。

三极管在【放大状态】时，从o逐渐增大，c也按一定比例增大，三极管起到放大作用。

1、压降：二极管的电流流过负载以后相对于同一参考点的电势（电位）变化称为电压降，简称压降。导通压降：二极管开始导通时对应的电压。

2、集电结处于正向偏置时，晶体管工作于饱和状态，这个饱和状态值的是电流饱和，因为当集电结处于正向偏置时，导通，管压降也就是他导通时的电压降。管压降理解为电流通过时两端的电压。

3、正向导通压降是在管子正向导通的时候，二极管两端的电压，也就是它引起的压降；死区电压是它的门坎电压，也紶是说，在这个电压以下时，即使是正向的，它也不导通。

对于放大状态，发射结正偏，压降大约为零点几伏（硅管约为0.7V，锗管约为 0.3V），集电结反偏，反偏时几乎没有电流流过（只有很小的漏电流流过），集电结的压降就是集电极与基极之间的电压，一般都在1V以上。

当三极管处于放大状态时，基极电压比发射极电压高约一下PN结压降（0.6V左右），集电极电压处于电源电压与发射极电压之间（一般来说至少比发射极电压高1V）。

三极管饱和导通时的压降硅管0.7V，锗管0.3V。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

CE极电压在0.3或者0.3V以下时，三极管进入饱和区的工作状态，集电极电流不随着基集电流增加而增加了。0.1~0.3v锗材料的三极管工作时各结压降较低为0.1伏，硅材料的的三极管工作时各结压降较高为0.3伏。

1、解释：输入电压5V时，三极管（NPN型）处于饱和状态，由于忽略集电结的饱和导通压降，所以输出为0；输入0V时，三极管处于截止状态，所以输出为0V。

2、饱和压降就是三极管当前的基级电流大于基级最大饱和电流，此时我们称判断电路处于饱和状态。具体判断方法如下：在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。

3、如何计算三极体饱和压降饱和压降就是当电晶体达到饱和导通时电晶体集电结（饱和压降就是：当电晶体达到饱和导通时电晶体集电结（ C）与发射结（E）之间的电位差。压降就是：两点之间的电位差。饱和。

4、饱和管压降也就是临界饱和电压，理论上说是放大区与饱和区的边界。对于小功率管来说，大概是0.7V左右，对于大功率管子来说，可以达到2-3V。

5、三极管饱和导通时的压降硅管0.7V，锗管0.3V。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

6、三极管的导通压降是一个变量，即Vce，随着三极管导通情况不同而变化，可以从最小（约0.1V，此时三极管饱和导通）到最大（电源电压，此时三极管截止）。如果是饱和导通，则Vce就叫三极管的饱和压降，一般三极管在0.1V左右。

1、因为三极管饱和导通时三极管的βIb大于实际Ic（βIbIc），因此集电极电流Ic的大小取决于外电路电源电压Ucc除以电路负载电阻RL，即Ic≈Ucc/RL，三极管饱和导通时的压降硅管0.7V，锗管0.3V。三极管的饱和电流。

2、首先忽略三极管的存在，可得出R3两端的电压为95V，三极管肯定导通。三极管导通后的Vbe电压为0.7V，通过R3的电流为0.7/330=1mA。通过R3电流必定通过R2，忽略Ib，UR2为02V。

3、PNP，发射极大于基极0.7V 锗管：NPN，基极大于发射极0.3V PNP，发射基大于基极0.3V 硅材料的NPN三级管工作在饱和区时，集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。0.3V乘以流过三极管电流可以计算三极管使用中的功率。