本文目录一览：
什么是势垒电容?扩散电容有什么区别?
1、扩散电容：是p-n结在正偏时所表现出的一种微分电容效应。PN结交界处存在势垒区，结两端电压变化引起积累在此区域的电荷数量的改变，从而显现电容效应。
2、势垒电容与偏置电压成反比关系，即电压越高，势垒电容越小。扩散电容是PN结中的另一种电容，它是由于载流子的扩散导致的。PN结中的扩散电容主要由扩散过程中的载流子集中和扩散引起的电荷积累形成。
3、扩散区内电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同，这种电容效应称为扩散电容Cd。
4、势垒电容是p-n结所具有的一种电容，即是p-n结空间电荷区（势垒区）的电容；由于势垒区中存在较强的电场，其中的载流子基本上都被驱赶出去了——耗尽，则势垒区可近似为耗尽层，故势垒电容往往也称为耗尽层电容。
5、电容器的种类很多，不同种类的电容器其作用也不同。
6、看下 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。
什么是势垒电容和扩散电容?解释的易懂一些!谢谢
1、扩散电容是正偏压时少子的电容效应引起的，势垒电容是反偏压时空间电荷的电容效应引起的。
2、扩散电容反映了在外加电压作用下载流子在扩散过程中积累的情况。扩散区内电荷的积累和释放过程与电容器充、放电过程相同，这种电容效应称为扩散电容Cd。
3、势垒电容与偏置电压成反比关系，即电压越高，势垒电容越小。扩散电容是PN结中的另一种电容，它是由于载流子的扩散导致的。PN结中的扩散电容主要由扩散过程中的载流子集中和扩散引起的电荷积累形成。
4、势垒电容是p-n结所具有的一种电容，即是p-n结空间电荷区（势垒区）的电容；由于势垒区中存在较强的电场，其中的载流子基本上都被驱赶出去了——耗尽，则势垒区可近似为耗尽层，故势垒电容往往也称为耗尽层电容。
5、势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。
势垒电容cb计算公式
结面积小的二极管的整流平均电流I小，因为整流平均电流等于电流密度乘以结面积；而最高工作频率f高，是因为结电容小。点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。
．由R=U/I计算小灯泡的电阻，将结果填入表中。以电阻R为纵坐标，电压U为横坐标，作出小灯泡的电阻随电压变化的曲线。5．由P=IU计算小灯泡的电功率，将结果填入表中。
势垒电容：耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。变容二极管：当PN结加反向电压时，Cb明显随u的变化而变化，而制成各种变容二极管。如下图所示。平衡少子：PN结处于平衡状态时的少子称为平衡少子。
势垒电容是p-n结所具有的一种电容，即是p-n结空间电荷区（势垒区）的电容；由于势垒区中存在较强的电场，其中的载流子基本上都被驱赶出去了——耗尽，则势垒区可近似为耗尽层，故势垒电容往往也称为耗尽层电容。
势垒电容CB和扩散电容CD均是非线性电容，值一般都很小，它们之和称为PN结的结电容，记为CJ 二极管正向导电时，电子扩散到对方区域后，在PN结边界上积累，并有一定的浓度分布。