mos管夹断（mos管夹断为啥耗尽层会上去）

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断了当然不到电，但是还会有很小的漏电流。如果从电流的角度可以忽略，认为不导电，但是如果另一端开路电压还是会过去。

因为夹断后它的漏端形成了空间电荷区，由于空间电荷区的高电场作用，在沟道中的电荷当遇到这个区域时会很快的被扫到漏端，即其导电机理。

就要对栅极施加足够的电压，它才能充分起到开关作用。你在栅极施加的电压只有5V（对于单管而言我认为栅极电压低了，一般应该在12V左右比较好），这个电压下MOS管的夹断电阻依然比较大，所以输出只有8V。

场效应管在夹断后，还有饱和电流的原因是：当漏一源之间接上+ VDS时，从源一沟道一漏组成的N型半导体区域内产生了一个横向的电位梯度：源区为零电位，漏区为+ VIB，而沟道的电位则从源端向漏端逐渐升高。

n沟道的mos管，vgs越大，ids电流越大。p沟道的mos管，vgs越大，ids电流越小。

夹断后，不是完全夹断的。靠近源极，还是有沟道的，靠近漏极的沟道被夹断的。在夹断沟道内，存在比较强的电场，所以对电子还是有很强的吸引作用的。电子会被拉入漏极。形成电流。

沟道夹断了，但是在电场作用下多子能在耗尽层中飘移，场效应管里只有一种载流子（电子或空穴，且能双向流动，这一点与二极管、三极管等双极型晶体管不同），这也是单极型晶体管不同于双极型晶体管的地方。

Uds（漏源电压）和Id（漏极电流）的关系不同：夹断区的Uds增大到一定数值，Id急剧增大；当Uds增大到出现预夹断后，Id几乎不随Uds增大而增大。

当vGS增大到一定值VP 时，两侧的耗尽层将在沟道中央合拢，沟道全部被夹断。由于耗尽层中没有载流子，因此这时漏-源极间的电阻将趋于无穷大，即使加上一定的电压vDS，漏极电流iD也将为零。

1、主要结构：N沟道MOSFET通常由三个主要部分组成：源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。两个P型的半导体区域位于N型半导体基片上，形成了源极和漏极之间的N型沟道。

2、当栅极施加电压时，会在氧化物层和半导体基底之间形成一个电场，这个电场会影响半导体中的载流子浓度，从而控制电路的电流。MOS管的工作原理可以分为三个阶段：截止区、线性区和饱和区。

3、从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

4、相当于VDS增加使漏极处沟道缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断，此时的漏极电流ID基本饱和。当VDS增加到 VGDVGS(th)时，预夹断区域加长，伸向S极。 VDS增加的部分基本降落在随之加长的夹断沟道上， ID基本趋于不变。

源极和衬底连接是MOS管的一种用法。两者相连时相当于pn结（衬底-源）上接零电压，pn结耗尽区中漂移流与扩散流平衡，pn结上总电流为零。栅源不加电压时，沟道不开启，不会有漏源电流。

D端电势低，楔形沟道为左窄右宽。由于，UGS》UGSth，所以不会产生夹断，MOS管此时将一直处于可变电阻区。个人认为不会有饱和区和击穿区，大家可以在评论区留言讨论。

Id的取值不同：夹断区，当导电沟道完全被夹断时，Id≈0；饱和区Id的数值取决于Ugs（栅源电压）的大小。

它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。

关于夹断。是因为Vdrain的电压增加，导致电子通道关闭（就是三角形的尖端）。你的理解也可以。如图：没错。Cox，就是以二氧化硅为介质的电容。 JFET是depletion，耗尽型器件。pinoff现象对所有的FET都是一样的。

uGD=uGS(OFF)就叫预夹断。对你图中的N沟道JFET，夹断一般是指uGSUGS(OFF)，导电沟道关闭。

当VDS为0或较小时，相当VGD＞VGS(th)，沟道呈斜线分布。在紧靠漏极处，沟道达到开启的程度以上，漏源之间有电流通过。

没有看过华成英的《帮你学模拟》。但三个不等式中：“uGSuGS(th），且uGD＞UGS（th）即uDS＞uGS-UGS（th）”中间的一个错了！应为：uGDUGS（th）。这就是说，G、D间沟道被夹断，即“预夹断”。

随着Vds的增加，靠近漏极一端的PN结上承受的反向电压增大，这里的耗尽层相应变宽，沟道相应变窄，沟道电阻相应增加，Id随Vds上升的速度趋缓。

MOS管的三个区：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区（对应三极管的截止区），还有一个击穿区（对应三极管的击穿区，属于电力电子内容）。

饱和区电流基本不随ugs变化而变化的，也就是图中那个叠在一起的部分。（而恒流区是ugs不变，id不随uds的变化而变化的。

通俗说：截止区就是不导通，放大区就是随电流的改变工作点呈线性变化，饱和区就是工作状态时工作点不随电流的增加而改变。

应该是可变电阻区，饱和区，击穿区，夹断区。开关状态工作在可变电阻区（此区相当于饱和导通）和夹断区（此区相当于截止）。放大状态工作在饱和区。注意：MOS管的饱和区和三极管的饱和区，完全不是同一个概念。

MOS管饱和区的介绍：NMOS在漏极电压比较高时，会使沟道夹断，之后即使电压升高，电流不会再升高，因此叫做饱和区。

判断mos工作在放大区，饱和区，截止区，击穿区。