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如何判断三极管的工作电压?
实际上，饱和与否关键看IB的大小，如果满足大于临界饱和电流就进入饱和状态了，此时也很有可能依然是UCUBUE（UE=0V，UB=0.7V，UC=1V，满足UCE=1V，刚好饱和，NPN管）。
处于截止状态，当基极电压低于发射极0.6V左右，集电极电压低于发射极0.3V左右，处于饱和状态。如果是形式比较复杂的电路，由于电流旁路很多，所以要看具体电路才能分析确定，无法简单地仅根据判断三极管各极电位来判断其工作状态。
如果我们在检测电路中发现晶体三极管极间电压为上述数值，即可判断该三极管工作在放大区，由该三极管组成的这部分电路为放大电路。
接近或等于0伏的是发射极E，小于电源电压，大于0.7伏的是基极B，当交流信号为负时，B极也可以是负电，比如说开关电源中的开关管。PNP型三极管则相反。属于此范畴中的基本判断三极管工作正常。
先把三极管的三个脚给分清楚。然后要知道三极管是NPN还是PNP。一般说NPN管，工作在放大区的时候要求，集电极反偏，发射极正偏，这要求集电极电压基极电压发射极电压。
c1815三极管GR938：C1815是日本公司生产的NPN三极管。其耐压值为45V，Pcm为450mW，Icm为150mA。后面的GR是英语单词Green（绿色）的缩写，其用来表示管子β值的大小（以前国产的三极管通常在管子顶部点上色点来表示β大小）。
三极管的发射极电压是多少?
三极管基极到发射极称为发射结，处于放大状态时，硅三极管发射结电压常为0.6伏——0.7伏，锗管约为0.25——0.3伏，通常在放大状态的上限电压基础上加上0.1伏即进入饱和状态。
三极管的开启电压一般在0.6～0.8V之间，由于基极的电流是非常小的，一般是不以计算的，仅计算集电极或发射极的电流，具体的计算方法要根据电路的参数来确定。
假如为硅管，PN结压降为0.7V 三极管有三种工作状态。饱和状态时（开关状态）集电极电压为-5V，基极电压为-3V，发射级电压为-8V。放大状态与截止状态时不能确定。
三极管作开关电路用时”发射极应该接负极(也就是线路中的地)。三极管的发射极出现9V电压，而且高于三极管集电极的5V，即说明是线路连接错误。基极用5V”控制时，要加限流电阻即可解决。
在发射极电压为零（地）时，放大区：硅管：三极管基极电压一般为0.7伏，偶然可低于0.7伏但不会低过0.6伏。发射极电压一般为1伏以上。.锗管：放大区三极管基极电压一般在-0.15至-0.2伏电压之间。
三极管共有几个电压?
KIA7042AP 是2V复位， KIA7045AP 是5V. 可以替换应急下，但最好还是用原来型号。
PNP，发射极大于基极0.7V 锗管：NPN，基极大于发射极0.3V PNP，发射基大于基极0.3V 硅材料的NPN三级管工作在饱和区时，集电极和发射极间也会存在0.3V左右的压差。0.3V乘以流过三极管电流可以计算三极管使用中的功率。
：对硅管，PNP三极管基极供电电压为－0.7V，NPN三极管为＋0.7V.2：PNP三级管的正偏指的是基极的电压小于发射极的电压，NPN三极管正好又与之相反。3：NPN三极管也好，PNP三极管也罢，两者都不能用交流电。
NPN三极管的三级电压的关系是：UcUbUe PNP三极管的三级电压的关系是：UcUbUe 中间那个肯定是基极，且有锗三极管的VBE=0.2V，硅三极管的VBE=0.7V……有了这些基础知识就可以判断。一般用硅的，就是0.7V。
电压越高，ib越大，ic也就越大，Rc上的电压变化也就越大，经过电容C2耦合到输出的电压也就越高。该电路最好是在B极再串联一个限流电阻，这样，当输入交流（直流无效）高压时，ib不会太大，可以保护三极管。
三极管的电压关系是什么?
三极管是一种半导体器件，通常由三个区域（P-N-P或N-P-N）组成。
三极管的三个反向击穿电压的关系应该是BVcboBVceoBVebo。首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故BVebo反向击穿电压要求不高，通常BVebo20V，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。
三极管有三种工作状态，以集电极串联2K电阻为例说明。截止状态，b极电压小于0.6v，c极无电流，电压和供电端相等。放大状态，b极电压0.6v--0.7v，c极电压大于0v，但又小于供电电压，最好是电源电压的2/3。
电压高低关系不好说，各极电压跟管型有很在关系。但根据工作状态总体是两以下几个原则（适合任何型号的三极管）：放大状态下：UcUbUe(PNP) 或(UeUbUc(NPN）换句话说就是发射结正偏，集电结反偏。
NPN三极管的三级电压的关系是：UcUbUe PNP三极管的三级电压的关系是：UcUbUe 中间那个肯定是基极，且有锗三极管的VBE=0.2V，硅三极管的VBE=0.7V……有了这些基础知识就可以判断。一般用硅的，就是0.7V。
此时也很有可能依然是UCUBUE（UE=0V，UB=0.7V，UC=1V，满足UCE=1V，刚好饱和，NPN管）。
三极管电压怎样求?
求三极管各极电压计算公式有：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，三极管具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
NPN Ubc=2-0=2V Ube=2-6=-4V 实际电路中，这个电压是不可能的，原因很简单，BE之间的PN结在这个正偏电压下正向到通，故Ube只能是0.7V左右，另外还有一种可能就是该管的BE之间大PN结开路损坏了。
如果有交流负载，则是求(UCEQ-UCES)与(ICQ // (RC // RL))中，比较小的那个值。是静态工作点到三极管饱和或截止的电压差，当工作点选在饱和和截止的正中间，则电压差就是最大不失真输出电压幅值。
对于 NPN 型的三极管，通常可认为发射极接地，基极的电压，应设为 0.7V。此时，发射结就是正偏，电流 Ib 由基极流向发射极。这个基极电流，主要是由发射区(N型，自由电子极多)向基区发出的电子构成的。
三极管导通后的Vbe电压为0.7V，通过R3的电流为0.7/330=1mA。通过R3电流必定通过R2，忽略Ib，UR2为02V。根据KVL，UR1=URUR1+UR2+UR3+UR4=24V 24-0.7-02=2UR1，解得UR1=114V。
一般NPN小功率管饱和时集电极电压小于0.5V；大功率NPN管饱和时为1V左右。截止时集电极电压等于电源电压。
求三极管各极电压计算公式
下面是三极管各极电压的计算公式：收集极电压（Vce）：Vce = Vc - Ve 其中，Vc为集电极电压，Ve为发射极电压。基极电压（Vbe）：Vbe = Vb - Ve 其中，Vb为基极电压，Ve为发射极电压。
Ube是BE极间电压、Ubc是BC极间电压，Uceo是CE极间饱和电压，不用算，由器件DATASHEET给出，是本身的特性。
三极管各极电压计算公式：Ie=Ib+Ic、Ic=βIb。
因为三极管基极电压中的锗材料pN极压降约0.2伏左右，硅材料pN极约0.7伏左右，所以三极管基极电压是降不到零的。三极管工作在放大状态时，发射极电压约等于基极电压，修正值是发射结的正向压降。
P=VCE×IC。三极管计算公式是P=VCE×IC，P为三极管的功率，VCE为三极管的集电极和发射极之间的电压，IC为三极管的电流。
Uc=（β*Ib)*Rc+Uce Uceo是穿透电压，与导通状态下的Uce不一样。这个穿透电压在制作的时候就已经测好了，看晶体管的参数时都会有这个参数值。