本文目录一览：
- 1、哪位大虾帮我推荐个MOS管
- 2、求低功耗、低价格的mosfet、三极管选型,要求如下?
- 3、龙腾中高压mos管
- 4、电焊机用场效应管还是用IGBT好,常用型号有哪些
- 5、有没有耐压200v以上的sot23封装高压mos管?
哪位大虾帮我推荐个MOS管
1、现在来说MOS管分为几大系列：美系、日系、韩系、台系、国产。
2、和单片机搭配的MOS管VDSS=20V或30V的即可，UT230UT230UT3400、UT340NCE3010等等都可以用单片机驱动，可以根据你用的功率来选择。如果VDSS在60V或者一样一般就驱动不起来了，30V以下的VDSS的MOS一般都可以驱动。
3、MOS管做功放稳压好不好？LM3886好还是TDA7294更好？我的变压器电压太高，所以想稳压， weatt | 浏览6351 次 |举报 我有更好的答案邀请更新 2010-04-22 最佳答案 两个都不好。
4、可以考虑大电流型 IGBT，具有场效应管电压控制及双极型三极管饱和压降低的双重优势。参考型号如：RJP 4301等。你可以在某宝平台，用“IGBT 200A”（不要双引号）做关键词进行搜索，海量产品跳出。
5、这两个管子都是增强型NMOS管 只要电路设计耐压值不超过40V，是可以相互直接替换的。单管上200A的并不多见，就如你前面提到的3206 200A的电流，2毫欧姆的导通电阻，其功率损耗也有80W了 常见的做法是多个管子并联使用。
6、是100V10A的管子，一点余量都没有满载工作不可靠，可以选50N06，它是50A60V的。
求低功耗、低价格的mosfet、三极管选型,要求如下?
其实好几家都有这样的产品，比如VISHAY，Infineo都有这样的低功耗Mosfet！不过LZ最好能标注太阳能电池板的输出电压，这样比较容易确定mosfet的电压规格。
mos管和三极管只要器件参数（工作频率和toff和ton等）选择合理，驱动电路设计恰当，都可以保证其低功耗，考虑到三极管的驱动级电路功耗及复杂性，还是mos管优选。
N-channel 贴片 mosfet，应该可以做到要求。
MOSFET是由电压控制器件，开关速度比三极管快，内阻比三极管低。所以适合做开关管，开关损耗低。IGBT 结构上是电压控制的三极管。开关速度比MOSFET慢些，特别是off time. 但是，它容易做到高电压，大电流。
MOSFET驱动一般需要注意这三点：低压应用 当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有3V。
龙腾中高压mos管
还不错。龙腾mos管具有输入阻抗高、开关速度快、驱动功率小、安全工作区宽、温度稳定性好等特点，已广泛应用于开关电源、汽车电子、工业控制等行业领域。
MOS管(Triode Depletion)是金属氧化物半导体场效应管的简称，它是一种用于电子管和晶体管中的半导体器件。在MOS管中，TD代表的是三极耗尽区域，指的是介于源极和漏极之间的区域，它的职责是控制场效应器件的电流。
高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同 耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。
电焊机用场效应管还是用IGBT好,常用型号有哪些
IGBT 是 绝缘门极晶体管，属于第四代逆变技术，是由MOS-FET 场效应管+大功率 晶体管 组合而成， 小功率是单管IGBT，大功率 工业机用IGBT模块。MOS-FET，场效应管逆变技术， 属于第三代逆变技术。
肯定是IGBT的好用。IGBT是普遍用在工业机型上的元器件，耐压、电流安数、瓦数都要大很多。
建议选择单管IGBT，IGBT是第四代逆变技术。是在第三代MOS场效应管的基础上升级改进的。技术比MOS管成熟，焊机性能稳定。民用单管IGBT代表品牌 佳士品牌 佳士宝系列。MOS场效应管代表品牌 瑞凌品牌 瑞凌系列。
IGBT比MOS功率大频率高关断能力好。一般用于高电压大电流中频以上电路上，逆变电焊机大部分采用IGBT很少用场管。逆变式弧焊电源，又称弧焊逆变器，是一种新型的焊接电源。
IGBT绝缘栅极晶体管属于第四代逆变技术。MOS-FET场效应管属于第三代逆变技术。IGBT技术更加成熟，焊机相对故障率更低。
有没有耐压200v以上的sot23封装高压mos管?
SOT-32封装，MCR100-6耐压400V，MCR100-8耐压600V，价格不到一百左右。
它的耐压和电流会比较大一点是中高压、大电流MOS管常用的封装形式，产品具有耐压高、抗击穿能力强等特点，适于中压大电流(电流10A以上、耐压值在100V以下)在120A以上、耐压值200V以上的场所中使用。
最后，它的耐压能力高达200V，这使得它可以在高压环境下工作，扩大了其应用范围。IPB107N20N3G在电源转换器中的应用 电源转换器是IPB107N20N3G的一个重要应用领域。
发热越小。并计算MOS管功耗。最后，根据以上参数：耐压，最大电流和功耗，选择符合以上条件的MOS管。根据允许安装尺寸选择合适的封装。比如top3，to220，to263，to252，dfn8，qfn8，sop8，sot23，sot223等封装。
没提到VDS的要求，最大的如VISHAY的：SI2333CDS ：最大可以-1A，在VGS -0.45V；SI2377EDS 可以到-4A。
MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。