scr电源器件（scr元器件）

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电力MOSFET驱动电路的特点是：要求驱动电路具有较小的输入电阻，驱动功率小且电路简单。

MOSFET优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。

开关速度快，工作频率高，热稳定性高于GTR但是电流容量小 IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点，具有电导调制效应，其通流能力很强，但是开关速度较慢，所需驱动功率大，驱动电路复杂。

scr电源器件（scr元器件）

SCR是可控硅元件的简称。可控硅分单向、双向、可关断等类型，它具有体积小、重量轻、寿命长、控制方便等优点，广泛用于可控整流、逆变以及无触点开关等各种自动控制的场合。

SCR工作原理是，当控制端施加正脉冲时，使得SCR的阳极和阴极之间形成一个导通通道，电流开始流动；而当控制端施加负脉冲或没有脉冲时，SCR将会被锁住，阻止电流流动。

scr能够开启和关断大电流，适合用于电高压AC电源控制应用中，scr是电流驱动，叫普通晶闸管，属于双极型的器件，阻断电压高，通态压降低，电流容量大，可以控制灯光调节、稳压器和电机。

静态元件在电子领域，SCR是Silicon Controlled Rectifier（硅控整流器）的缩写。SCR是一种具有双向导电性的半导体器件，常用于交流电的控制和整流。脚本语言 SCR也可以表示Script（脚本）的缩写。

1、但只能在一个方向上进行。SCR通常被用于控制大功率电路中的电流，如电动机、照明设备、电炉等。SCR的主要优点是它可以承受高电压和高电流，同时也很容易控制。

2、为了降低直动电流，应使用起动辅助装置，如起动用电抗器或自耦变压器，但使用电抗器或自耦变压器起动等常规方法只能逐步降低电压，而软起动器通过平滑升高端子电压，可以实现无冲击起动。因此，可以最佳地保护电源系统以及电机。

3、可控硅（SCR）国际通用名称为Thyyistoy，中文简称晶闸管。它能在高电压、大电流条件下工作，具有耐压高、容量大、体积小等优点，它是大功率开关型半导体器件，广泛应用在电力、电子线路中。

4、SCR通过调整输出电压值，SSR通过频繁通断控制；但不能调整输出电压。继电器是无触点开关形式，；控制原理简单；控制电流范围比较大；几十安陪到上千安陪，但是存在降压会发热较高；电流越大越严重。

单向可控矽，双向可控矽，可控矽(SCR： Silicon Controlled Rectifier)是可控矽整流器的简称。可控矽有单向、双向、可关断和光控几种类型。

scr指的是可控硅整流器。SCR是Silicon Controlled Rectifier的缩写，是可控硅整流器的简称。可控硅整流器是一种以晶闸管（电力电子功率器件）为基础，以智能数字控制电路为核心的电源功率控制电器。

BT1313及138参数一样：如图所示：600V反向重复峰值电压VRRM：600V通态平均电流IT：4A通态不重复浪涌电流ITSM：40A最高结温Tjm：110 ℃贮存温度。

可控硅(SCR： Silicon Controlled Rectifier)是可控硅整流器的简称。

可控硅调压器工作原理可控硅（siliconcontrolledrectifier，SCR）调压器是一种电子电路，它通过控制SCR的导通状态来控制电路中电压和电流的大小。

其中属于双极器件的有：SCR、GTO、GTR以及IGBT；单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器，也叫晶闸管，主要用在类似于二极管的领域，其与二极管不同的是，正向工作时，可通过门极电流来触发导通。

晶闸管的工作原理有双向导通性能、触发控制性能等等。双向导通性能晶闸管能够在两个方向上导通电流。这是因为晶闸管中存在两个与之相对应的PN结，被称为正向PN结和反向PN结。

就可以控制导通的平均电流的大小，从而起到以小信号控制大电流的目的，这就是晶闸管的作用。

晶闸管(scr)原理SCR(siliconcontrolledrectifier)是一种半导体电动开关器件，它可以通过控制Gate端的电压来控制Drain-Source间的通断。

它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。

晶闸管的工作原理通过如图所示电路做一个简单的实验，来说明晶闸管的工作原理。由电源Us、白炽灯、晶闸管的阳极、阴极组成晶闸管主电路。电源Uc、开关S、晶闸管门极和阴极组成控制电路也称触发电路。

工作原理：在整流电路中，晶闸管在承受正向电压的时间内，改变触发脉冲的输入时刻，即改变控制角的大小，在负载上可得到不同数值的直流电压，因而控制了输出电压的大小。